Table of Contents
Thyristors بلوک های ساختمان بنیادی در الکترونیک قدرت مدرن هستند، که کنترل کارآمد ولتاژهای بالا و جریانها را در برنامه های کاربردی اعم از درایوهای موتور صنعتی به نور مصرف کننده می دهد. کلید استفاده از یک پتانسیل کامل توریس در تسلط بر درایو دروازه آن - به طور خاص دروازه فعلی و ولتاژ این پارامترها را دیکته می کند که چگونه انتقال دستگاه از مسدود کردن اصول بررسی مستقیم، و کنترل سرعت فعلی، و سیستم قابلیت اطمینان.
یک توریستور چیست؟
یک تیررس یک دستگاه نیمه هادی چهار لایه با سه ترمینال است: anode (A)، cathode (K)، و دروازه (G) به طور موثر یک سوئیچ بی سیم است که می تواند توسط یک سیگنال دروازه روشن شود و نیاز به یک برگشت فعلی یا یک قطره زیر نگه داشتن فعلی برای خاموش کردن رایج ترین نوع سیلیکون کنترل شده (CRS) است.
در این میان، دو کشور با ثبات و دارای قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و قدرت و بهره گیری از آن، به دو سوی دیگر، به صورت زیر و رو می شوند.
نقش فعلی و ولتاژ دروازه
ترمینال دروازه مکانیسم را برای شروع بازخورد مجدد در ساختار چهار لایه ای توریستور فراهم می کند.یک جریان دروازه کوچک، به طور معمول ده ها تا صدها میلی آمپر، تزریق شده بین دروازه و کاتهود، حامل ها را به منطقه پایه پایین تزریق می کند، و باعث می شود جفت ترانزیستور داخلی به اشباع برسد.
[در این باره] [مشرکان]: [[[۱]] [[۱۰]]] [[۱۰]]] [[۱۰]]] [[۱۰]]] [[۱۰]]] [[۱۰]]] [[۱۰]] [[۳]] [۱۰]] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳] [۳۲] [۳] [۳] [۳۲] [۳] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳۲] [۳] [۳] [۳۲] [۳۲] [[[[[[[[[[[[[[[[[[[۳۲] [۱۰] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳۲] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳]
[[[ویرایش] [[[[ویرایش]] [[[[FLT]]] ] [FLT]] حداقل دروازه ای است که برای تغییر دادن به تراژه از حالت مسدود کننده لازم است تا تحت شرایط ولتاژ مشخص شده (F=2) قرار گیرد.
- [در این باره] اگر در زیر [در برابر [FLT] قرار داشته باشد [و] [در برابر رفتار [در برابر] قرار دارد [و] اگر دروازه [در حال حاضر] کمتر از [FLT3] باشد، [و] [به این ترتیب]، [به صورت یقین] شتاب دهنده ای نیست.
- [[۱] [۱۰] [[۱]] [۱۰] [۱] [۱]] برای کاربردهای سریع یا بالا، یک پالس کوتاه مدت در حال حاضر (به عنوان مثال، ۲-۱۰] بار GT ترجیح می دهد و قدرت را کاهش می دهد.
- [[۱] [۱۰] [[۱۰]] [[۱۰]] [[۱۰]]] [[۱۰]]] [[۳]] ] [۱۰] با افزایش دمای اتصال، یک درایو دروازه ای که برای شرایط سرد طراحی شده است، ممکن است در دمای بالا، آسیب پذیری را افزایش دهد.
- مقاومت در برابر خط مقدم: یک مقاومت داخلی یا خارجی (به عنوان مثال، 100 Ω به 1 kΩ) بین دروازه و کاتهود ایمنی dv / dt را بهبود می بخشد و مانع از تحریک نادرست از نشت فعلی می شود.
در این میان، من به اندازه ی کافی از این طریق به آن اشاره کردم که در آن زمان، از آن بهره مند می شوم.
[[[ویرایش] [[۱۰] [۱۰] [۱۰] [[۱۰]] [[۱۰]] [[۱۰]]] [[۱۰]] [۱۰]] [[۳]] [[۳]] [۱۰] [۳] [۱۰] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [[[[[[[[[۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[
[[[ویرایش] [[[[ویرایش]] [[[[ویرایش]]] [[[[ویرایش]]] [[[۱۰]]]] [[۱۰]]]]] [۱۰]]] [۱۰]]]] [۱۰]] [۱۰]]] [۱۰]] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۲] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰]]]] [۱۰]]]]]] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰]]] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰]]] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰]] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۲] [۱۰] [۱۰] [۲] [۲] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [
- زمان ظهور (FLT:1) یک ولتاژ درب سریع (زمان ظهور کوتاه) کاهش می یابد و در حال حاضر به طور مساوی در منطقه کاتد گسترش می یابد، بهبود قابلیت دی / dt.
- ولتاژ درب معکوس: برخی از طرح ها یک ولتاژ منفی کوچک (به عنوان مثال، 5 V) در طول حالت خاموش برای بهبود ایمنی Dv / dt و کاهش زمان خاموش استفاده می کنند.
- [FLT3] دارای یک شاخص دما منفی (حدود 2.2 mV / ° C) در دمای بالا، ولتاژ کمتر مورد نیاز است، بنابراین حاشیه دروازه باید بدترین شرایط سرد را در نظر بگیرد.
راه های محرک دروازه
روش استفاده از پیچیدگی فعلی دروازه، الزامات انزوا و ایمنی صدا.
DC Gate ماشه
جریان مداوم DC به دروازه اعمال می شود ساده اما به دلیل هدر رفتن مداوم قدرت در مدار دروازه، تنها در مدارهای کم قدرت یا تست استفاده می شود.
پالس محرک
پالس های کوتاه، با اندازه بالا (به عنوان مثال، 10μs تا 100 μs گسترده، 1 A اوج) استخدام می شوند. ترانسفورماتور پالس یا Optoizor انزوای گالوانیزه را فراهم می کند، ضروری است زمانی که کاتود توریستور در پتانسیل زمین نیست. محرک قطار پالس (چند پالس در هر نیم چرخه) مرحله معمول است که در بارهای زیر بغل کردن کنترل می شود.
AC (Zero-Crossing)
در بار مقاومت بار dimmers و بخاری، دروازه در صفر عبور از خط AC برای کاهش تداخل الکترومغناطیسی (EMI) ایجاد می شود، سیگنال دروازه باید به دقت نسبت به ولتاژ خط زمان بندی شود.
تاثیر بر تغییر عملکرد
جریان دروازه و ولتاژ به طور مستقیم بر پارامترهای سوئیچ کلید تأثیر می گذارد:
- [در این باره] [و [از این رو] [و [از روی] [و [از روی] [و [از روی] [و [بر روی] [و] [از این [بر روی] [و]] [از [و]]] [و [به]] [و [از [و]]] [به [و [و]]] [و [به [و [و [و [و]]]]]] [و [به [و [و [و [و [از [از [و [و [به [و]]]]]]]]]]] [و [و [و [و [و [و [و [به [به [و [و [و [به [به [و [به [به [و [و [و]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]] [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [از [به [و [و [و [و [و [و [از [از [از [از [از [از [از [و [و [به [
- [[[ویرایش] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [[۱۰]] [[۱۰]]] [[۱۰]]] [[۱۰]] [۱۰]] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰]] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۳] [۳] [۳] [۳] [۱۰] [۳] [۳] [۱۰] [۳] [۳] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۳] [۳] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۳] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۳] [۱۰] [۳] [۳] [۳] [۳] [۳] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰
- ] [در برابر یک نرخ بالا از افزایش ولتاژ anode-to-cathode می تواند باعث ایجاد تحریک کاذب شود.
- قابلیت هایdi/dt: نرخ افزایش جریان یک گره در طول چرخش باید محدود باشد.
بررسی های عملی در طراحی مدار
Snubber Circuits
یک snubber (RC یا RCD) در سراسر Thyristor محدودیت dv / dt را محدود می کند و مانع از تحریک شدید می شود. اثربخشی snubber بستگی به درب درایو ضعیف دارد. مقاومت در مقابل درب-cathode 100 Ω به 1 kΩ می تواند بار snubber را کاهش دهد.
دروازه ای Isolation
از آنجا که کاتور یک تیراژ در یک پیکربندی بالا ممکن است در پتانسیل خط باشد، رانندگان دروازه باید انزوای گالوانیک را ارائه دهند. ترانسفورماتور پالس ساده و قوی هستند؛ انتخاب کنندگان با ایمنی ترانسی بالا (CMTI) در طرح های مدرن استفاده می شوند.
مدیریت حرارتی
در این میان، میزان بهره وری از آن کم است و در آن کمتر از ۱ درجه است.[۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] [۱۰] دروازه باید حداکثر بهره وری را در حد متوسط (۱۰] تضمین کند.
حفاظت در برابر آسیب دروازه
- مقاومت در برابر محدود کردن درب اوج
- زینر در سراسر درب-cathode برای جلوگیری از overvoltage.
- خازن (به عنوان مثال، 0.1 μF) از دروازه به کاتد برای فیلتر سر و صدا.
مثال: کنترل فاز-کنترل شده Rectifier
در یک مبدل AC / DC سه فاز با استفاده از SCRs، راننده دروازه پالس های همگام شده از 1 اوج، 50 μ عرض، با افزایش زمان کمتر از 0.5 μs، به علاوه نسبت پالس تبدیل کننده دروازه انتخاب شده است به طوری که ولتاژ ثانویه بیش از حداکثر (FLT:0V [LT:1] [LT 1) [F] [F] [F] مقاومت در برابر مقدار فعلی است.
خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه خلاصه
ولتاژ ورودی و دروازه پارامترهای کنترل اولیه برای ایجاد یک تیررس ([ویرایش]) است؛ طراحی مناسب درایو دروازه، سوئیچ قابل اعتماد، سریع و محافظت در برابر محرک های کاذب و آسیب حرارتی است.[۱۰] با انتخاب پارامترهای مناسب پالس، اضافه کردن انزوا و حسابداری برای تغییرات دما، مهندسان می توانند مدارهای کنترل قدرت قوی را ایجاد کنند که از قابلیت های تنتور برای خواندن بیشتر بهره می گیرند.