درک مناطق عملیاتی یک ترانزیستور برای طراحی و عیب یابی مدارهای الکترونیکی ضروری است. ترانسیست ها عمدتاً در سه منطقه فعالیت می کنند: برش، فعال و اشباع شناسایی این مناطق شامل تجزیه و تحلیل ولتاژ و شرایط فعلی در دستگاه است.

نظریه باسوی مناطق ترانسیستور

سه منطقه اصلی توسط ولتاژ در پایانه های ترانزیستور تعریف شده است.در یک ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT)، ولتاژ پایه و ولتاژ پایه و پایه-collector تعیین وضعیت عامل است.هنگامی که اتصال پایه و منفی به جلو پیش رو نیست، ترانزیستور در برش است.

تکنیک های اندازه گیری عملی

اندازه گیری ولتاژها و جریانها با چند متر به تعیین منطقه عملیاتی کمک می کند. اندازه گیری های کلیدی شامل:

  • ولتاژ پایه (V BE)
  • ولتاژ گردآورنده (V CE)
  • پایگاه فعلی (I B)
  • جمع آوری کننده فعلی (I C)

مقادیر معمول برای سیلیکون BJT در منطقه فعال V BE در حدود 0.6-0.7V و V CE بیشتر از V BE. در اشباع، V CE زیر V BE، اغلب در حدود 0.2V. در برش، هر دو V BE و V CE نزدیک به صفر، با جریان های ناچیز هستند.

تعیین منطقه عملیاتی

با مقایسه ولتاژ اندازه گیری شده به آستانه های شناخته شده، منطقه عملیاتی می تواند شناسایی شود.به عنوان مثال، اگر V BE تقریبا 0.7V و V CE بالا باشد، ترانزیستور در منطقه فعال است.اگر V CE کم و جریان ها بالا باشد، در اشباع است.اگر جریان ها حداقل هستند و ولتاژ نزدیک به صفر باشد، دستگاه برش در حال برش است.