Kaksisuuntainen risteystransistori (BJT) on elektronisten piirien peruskomponentti. Sitä käytetään laajasti vahvistimen ja kytkinsovellusten käyttöön. Sen toiminnan ymmärtäminen on olennaista tehokkaiden sähköisten järjestelmien suunnittelussa.

BJT:n perusrakenne

BJT koostuu kolmesta alueesta: säteilyttäjästä, emäksestä ja keräilijästä. Nämä alueet on valmistettu puolijohdemateriaalista, tyypillisesti piistä. Näiden alueiden järjestely määrittää transistorin toimintatilan.

BJT-operaation periaatteet

BJT toimii ohjaamalla virran virtausta keräimen ja lähettimen välillä alustan läpi. Kun alustaan kohdistetaan pieni virta, se mahdollistaa suuremman virran virtauksen keräimestä lähettimeen. Tätä prosessia kutsutaan virtavahvistukseksi.

Toimintatavat

BJT-toimintatavana on kolme päätapaa:

  • Aktiivinen tila:[ Käytetään vahvistimena. Perusemterin liittymä on eteenpäin biasoitu ja peruskeräimen liitäntä on käänteisessä basel-biasoitu.
  • Katkaisutila:[ Transistori on pois päältä. Molemmat liitännät ovat käänteisbiassoja, eikä virtavirtoja.
  • Tyydytystila:[ Transistori on täysin päällä. Molemmat liitännät ovat eteenpäin suoraviivaisia, jolloin virtaus on maksimissaan.

Sovellus Circuit-suunnittelussa

Piirisuunnittelussa BJT-laitteita käytetään vahvistimen, kytkimen ja signaalin moduloinnin tekemiseen. Oikeanlainen harhautus on ratkaisevan tärkeää, jotta transistori toimii halutussa tilassa. Suunnittelijat valitsevat sopivat vastusarvot ja jännitetasot hallitakseen transistorin käyttäytymistä.