MOSFET-laitteiden kapasitanssien mittaaminen todellisissa piireissä on olennaista niiden käyttäytymisen ja suorituskyvyn ymmärtämisen kannalta. Tarkkojen mittausten avulla voidaan suunnitella ja vianmääritystä elektronisissa järjestelmissä.

MOSFET-kapasitanssien ymmärtäminen

MOSFET-laitteissa on useita loiskapasitanssia, kuten portista lähteeseen, portista vuodolle ja vuodosta putkeen. Kapasitanssit vaikuttavat laitteen kytkentänopeuteen ja taajuusvasteeseen. Niiden mittaaminen piirissä vaatii erityisiä tekniikoita kunkin komponentin eristämiseksi ja kvantifioimiseksi.

LCR-mittarin käyttäminen

LCR-mittari voi mitata kapasitanssia suoraan, kun MOSFET on testipiirissä. Jotta tämä onnistuu, irrota MOSFET virtapiiristä tai varmista, että se on turvallisessa tilassa. Yhdistä mittari kiinnostavien päätelaitteiden, kuten portin ja lähteen, kautta ja kirjaa lukemat. Tämä menetelmä tarjoaa nopean arvion loiskapasitanssien.

Kapasitanssin mittaus Oscilloscopella

Oskilloskoopilla voidaan mitata MOSFET-kapasitanssia soveltamalla tunnettua jänniteaskelmaa porttiin ja tarkkailemalla latauskäyrää. Latauksen aikavakio liittyy kapasitanssiin ja virtapiirin vastukseen. Kaavan C = τ / R avulla voidaan laskea aikavakio, jossa τ on aikavakio, ja R on vastus, kapasitanssi voidaan laskea.

Lisätekniikat

Muita menetelmiä ovat verkkoanalysaattorin tai erikoiskoelaitteiden käyttö, jotka on suunniteltu suurtaajuusmittauksiin. Nämä tekniikat ovat monimutkaisempia, mutta tarjoavat paremman tarkkuuden erityisesti nopeiden kytkentäsovellusten osalta. Oikea kalibrointi ja piirien asetukset ovat tärkeitä luotettavien tulosten kannalta.