Säteilytransistorit ovat välttämättömiä, jotta voidaan varmistaa asianmukainen toiminta analogisissa piireissä. Se auttaa määrittämään halutun toimintapisteen, tai Q-pisteen, joka vaikuttaa virtapiirin lineaarisuuteen ja vakauteen. Tässä artikkelissa käsitellään käytännön tekniikoita, joita käytetään transistoreiden harhauttamiseen tehokkaasti.

Kiinteän sidoksen menetelmä

Kiinteä harhailumenetelmä sisältää jatkuvan jännitteen soveltamisen kaksisuuntaisen risteystransistorin (BJT) pohjaan. Resistori on kytketty syöttöjännitteen ja alustan välille, jotta vääristymävirta voidaan asettaa. Tämä tekniikka on yksinkertainen, mutta se voi olla herkkä transistoriparametrien vaihteluille ja lämpötilan vaihteluille.

Jännitejakaja Bias

Jännitejakajassa käytetään kahta vastusta, jotka on kytketty jännitejakajakokoonpanossa, jotta transistorin pohjaan saadaan vakaa jännite. Tämä menetelmä tarjoaa paremman vakauden transistoriparametrien ja lämpötilan vaihteluille, mikä tekee siitä sopivan useimmille käyttökohteille.

Keskeisiä osatekijöitä ovat seuraavat:

  • Tukivastusverkko
  • Emitter vastus (valinnainen stabiilius)
  • Ohituskondensaattori (AC:n stabiiliuteen)

Säteilyn kentän effektitransistoreissa (FET)

FET-laitteiden osalta ennakkoluuloihin liittyy tyypillisesti portti-lähdejännitteen (VGS[]) asettaminen halutun tyhjennysvirran määrittämiseksi. Tekniikoita ovat muun muassa vastuslähteen tai portin käyttö harhapisteen ohjaamiseksi. Oikeanlainen harhautus takaa FET-järjestelmän toiminnan halutulla alueella, kuten kyllästys tai katkaisu.

Käytännön näkökohdat

Kun transistorit ovat harhautumassa, on syytä harkita lämpötilan vakautta, transistoriparametrin vaihteluja ja tehonjakoa. Harhauttavan verkon käyttäminen negatiivisella takaisinkytkentä- tai stabilointipiireillä voi parantaa luotettavuutta. Säännöllinen testaus ja säätö auttavat ylläpitämään optimaalista toimintaa.