Analogisissa transistoripiireissä tapahtuvan tehon dissipaation ymmärtäminen on olennaista luotettavan toiminnan varmistamiseksi ja komponenttien vikaantumisen estämiseksi. Oikea laskenta auttaa suunnittelemaan turvallisia lämpörajoja käyttäviä piirejä.

Tehonhukan perusteet

Transistorissa tapahtuu virran hajautus, kun virta virtaa sen läpi ja aiheuttaa lämmöntuotantoa. Se määräytyy pääasiassa transistorin jännitteen ja sen läpi kulkevan virran perusteella.

Virranlaskun laskeminen

Tehonlaskun peruskaava (P) on:

P = V x I

Jossa V on jännite läpi transistorin, ja I on virta virtaa sen läpi. Kaksisuuntainen risteystransistorit (BJT), teho voidaan laskea myös käyttäen keräin-lähetin jännite ja keräinvirta.

Käytännön näkökohdat

Luotettavan toiminnan varmistamiseksi laskettua tehonjakoa olisi verrattava transistorin enimmäistehoon. Riittävät lämmönlasku- ja jäähdytysmenetelmät ovat tarpeen, jos hajautus lähestyy näitä rajoja.

Yhteiset menetelmät tehonhukan vähentämiseksi

  • Käytä transistoreita, joilla on korkeampi teho.
  • Toteuta asianmukaiset jäähdytys- ja jäähdytysjärjestelmät.
  • Optimoi piirin suunnittelu toimimaan pienempi jännite ja virtaukset.
  • Vähennetään mahdollisuuksien mukaan harhavirtaa.