Kenttäefektitransistorit (FET) ovat elektronisten piirien olennaisia osia, joita käytetään vahvistuksena ja vaihtamisena. FET-järjestelmän hyödyn laskemiseen kuuluu sen parametrien ymmärtäminen ja erityisten kaavojen soveltaminen. Tämä artikkeli tarjoaa vaiheittaisen menetelmän FET-järjestelmän hyödyn määrittämiseksi tarkasti.

FET-parametrien ymmärtäminen

Ennen voiton laskemista on tärkeää tunnistaa FET:n keskeiset parametrit, mukaan lukien transjohtavuus (gm) ja ulostulojohtavuus (gds). Nämä parametrit vaikuttavat laitteen vahvistinkykyyn.

Vaiheittainen laskentaprosessi

FET-järjestelmän pienisignaalisen jännitteen kasvun peruskaava (Av) on:

[LLT:0]]A[[LLT:1]]v[LLT:2]] = -g[[LLT:3]]m[[LLT:4]] R[[LLT:5]]]]-kuormitus[[[LLT:6]]]

Jossa R[lataus on FET-järjestelmään kytketty kuormitusvastus.

  • Määritetään laitteen tietotaulusta tai mittauksesta transduktanssi (g[m).
  • Määritetään kuormankestävyys (R) piiristä.
  • Laske voitto yllä olevalla kaavalla.

Lisähuomioita

Tarkempia tuloksia varten tarkastellaan ulostulojohtuvuuden vaikutusta (gds) ja tyhjennys-lähdejännitteen vaikutusta. Nämä tekijät voivat hieman muuttaa voiton laskentaa, erityisesti suurtaajuussovelluksissa.