On-resistentti (Rds(on)]) on tärkeä MOSFET-laitteiden parametri, joka osoittaa vuodon ja lähteen välisen vastuksen laitteen ollessa päällä. R[ds(on)[[]:n tarkka laskenta auttaa tehokkaiden piirien suunnittelussa ja asianmukaisten komponenttien valinnassa.

On-resistenssin ymmärtäminen

On-resistentteihin vaikuttavat laitteen fyysiset ominaisuudet ja toimintaolosuhteet. Se vaikuttaa virranheilahteluun ja lämmöntuotantoon MOSFET-järjestelmässä. Alemmat R[ds(on)[]-arvot ovat toivottavia tehokkaissa sovelluksissa.

On-resistenssien laskentavaiheet

Laske Rds(on)[] mittaa jännitteen laskun poiston ja lähdepäätteiden välillä, kun MOSFET on täysin päällä, ja jaa vuodon virran mukaan. Käytä kaavaa:

]R[ds[] = V[ds[ / Id[][[[]]]]

Käytännön näkökohdat

Varmista, että MOSFET toimii sen määritellyn porttijännitteen puitteissa todellisen tilan saavuttamiseksi. Mittaa jännite ja virta vakaissa olosuhteissa, jotta saadaan tarkat R[ds(on)[]-arvot. Lämpötila vaikuttaa myös resistenssiin; suorita mittaukset suunnitellussa käyttölämpötilassa.

Lisävinkkejä

  • Mittauksissa käytetään tarkkaa yleismittaria tai lähdemittausyksikköä.
  • Testataan laitteen portin nimellisjännitteellä.
  • Tallenna mittaukset eri virtauksilla lineaarisuuden havaitsemiseksi.
  • Harkitse lämpövaikutuksia korkea-aktiivisten testien aikana.