Oikean MOSFET-laitteen valinta tehokkaisiin sähköisiin malleja varten edellyttää sen on-resistentin (Rds(on)) ymmärtämistä. Tämä parametri vaikuttaa tehon menetykseen ja lämpötehoon.

MOSFET-vastuskyvyn ymmärtäminen

On-resistentti on venttiilin ja lähdepäätteiden välinen vastus, kun MOSFET on täysin päällä. Se on kriittinen tekijä virransiirron sovelluksissa, vaikuttaa johtumishäviöihin ja lämmöntuotantoon. Alemmat Rds(on) arvot yleensä johtavat suurempaan hyötysuhteeseen.

Miten mitata Rds(on)

Mittaus Rds(on) edellyttää sovelletaan tietyn portin jännite täysin käynnistää MOSFET ja mittaamalla jännitteen pudotus sen läpi samalla kulkee tunnettu virta. Resistenssi lasketaan käyttämällä Ohmin lakia:

Rds(on) = Jännite alas / valu virta

Tekijät vaikuttavat Rds(on) Arvot

Useat tekijät vaikuttavat MOSFETin Rds(on), kuten:

  • Gate-to-source-jännite (Vgs)
  • Lämpötila
  • Valmistusmuutokset
  • Laitteiden vanheneminen

On tärkeää ottaa nämä tekijät huomioon testauksen aikana, jotta varmistetaan tarkat ja luotettavat Rds(on) -mittaukset tehokkaissa sovelluksissa.