Ohutkalvolaitteiden puolijohdekerrosten kestävyyden mittaaminen on olennaista niiden sähköominaisuuksien ja suorituskyvyn ymmärtämisessä. Tarkka määritys auttaa laitteen optimointia ja laadunvalvontaa.

Resistenssin mittausmenetelmät

Useita tekniikoita käytetään mittaamaan vastus puolijohdekerroksia. Yleisimpiä menetelmiä ovat nelipisteanturin menetelmä ja kaksipistemittaustekniikka. Nelipisteanturi vähentää kosketusvastuksen vaikutuksia, mikä antaa tarkempia tuloksia.

Neljän pisteen koeputkimenetelmä

Tämä menetelmä sisältää neljä yhtä tilaa anturit puolijohdepintaan. Virta kulkee ulompien luotainten läpi, ja jännite mitataan läpi sisäanturit. Resistenssi lasketaan käyttämällä mitattua jännitettä ja virtaa, kun otetaan huomioon luotaimen geometria.

Resistenssin laskeminen

Vastus (R) voidaan laskea Ohmin lain mukaan: R = V / I, jossa V on laitteen kautta mitattu jännite ja minä olen virta. Ohuissa kalvoissa käytetään usein levynvastus (Rs), joka liittyy vastusta kalvon geometrian kautta.

Resistenssin mittausta vaikuttavat tekijät

  • Luotainten kosketuslaatu
  • Puolijohdekerroksen tasaisuus
  • Lämpötila mittauksen aikana
  • Elokuvan paksuus