Oikean MOSFET-piirin valinta edellyttää sen on-resistentin, tunnetaan nimellä Rds(on). Tämä parametri vaikuttaa tehoon ja lämmöntuotantoon. Tarkka laskenta Rds(on) auttaa valitsemaan laitteen, joka täyttää suorituskykyvaatimukset ja minimoi samalla energian hävikki.

Ymmärtäminen Rds(on)

Rds(on) on venttiilin ja lähdepäätteen välinen vastus, kun MOSFET on täysin päällä. Alemmat Rds(on) arvot osoittavat paremman johtumisen pienemmällä tehohäviöllä. Tämä parametri on määritelty tietotaulukossa ja vaihtelee lämpötilan ja portin jännitteen mukaan.

Lasketaan rods(on) Circuit Design

Laskemaan tehokkaan Rds(on) piirin, harkita suurin Rds(on) arvo, jonka valmistaja antaa tietyn portin jännite. Säädä lämpötila vaikutuksia ja käyttöolosuhteet. Kaava on yksinkertainen:

Effektiiviset Rds(on) = Rds(on) määrätyissä olosuhteissa[

Tekijät, jotka vaikuttavat rads(on) Valitse

  • Porttijännite:[ Varmista, että portin käyttöjännite riittää MOSFET-järjestelmän täydelliseen kytkemiseen päälle minimoiden Rds(on-järjestelmän.
  • Lämpötila: [ Rds [on) kasvaa lämpötilan, joten harkitse lämmönhallinta.
  • Vähittäiset vaatimukset:[ Valitse MOSFET-järjestelmä, jossa on Rds(on) tarpeeksi matala, jotta enimmäiskuormitusvirta voidaan käsitellä tehokkaasti.
  • Vähimmäistehon häviö: lasketaan käyttämällä P = I2 × Rds(on) lämpörajojen ylittämisen varmistamiseksi.