Tehon laskenta ja virranjako BJT-pohjaisissa vahvistimissa on olennaista tehokkaiden elektronisten piirien suunnittelussa. Oikea analyysi takaa vahvistimen toiminnan turvallisissa rajoissa, mikä estää ylikuumenemisen ja vahingoittumisen. Tämä artikkeli kattaa peruskäsitteet ja menetelmät, joita käytetään tehonkulutuksen ja bipolaaristen risteystransistoreiden (BJT) disipaatioiden arviointiin.

Tehon laskeminen BJT vahvistimissa

BJT-vahvistimelle toimitettava teho määräytyy pääasiassa keräinvirran ja keräin-lähetinjännitteen perusteella. Kokonaisvirrankulutus voidaan laskea kaavalla:

]P = V[CE × I[C[[]]

jossa V[CE[ on keräin-lähetinjännite ja ]I[][[[]] on keräinvirta. Näiden parametrien tarkka mittaus käytön aikana mahdollistaa tarkan tehonlaskennan.

Tehon hajautus BJT:ssä

Virranhajonnalla tarkoitetaan transistorin sisällä sen toiminnan vuoksi syntyvää lämpöä. Se on toimitetun tehon ja kuormalle toimitetun tehon välinen ero. Häiriö voidaan ilmaista seuraavasti:

]P[d] = V[CE[ × IC - kuormaan toimitettu teho[]

Korkeat haihtumistasot voivat aiheuttaa lämpöjännitystä, mikä vaikuttaa transistorin luotettavuuteen. Siksi jäähdytysaltaita ja kunnollista jäähdytystä käytetään usein hallitsemaan hävikkiä.

Menetelmät tehon hajaantumisen vähentämiseksi

  • Toimitaan transistorilla sen aktiivisella alueella sopivalla tavalla.
  • Käytä jännitettä ja virranrajoitustekniikoita.
  • Toteuta jäähdytyslevyt ja jäähdytysjärjestelmät.
  • Valitse BJT korkeampi teho luokitukset.