Puolijohteiden käyttäytymisen simulointi on olennaista sähköisten laitteiden suunnittelussa. Epätarkuuksia voi kuitenkin esiintyä yhteisten mallinnusvirheiden ja oletusten vuoksi. Näiden virheiden ymmärtäminen ja niiden toteuttaminen voivat parantaa simuloinnin tarkkuutta.

Semikoiden simulaatiossa esiintyvät yleiset virheet

Yksi useinen virhe on käyttää yksinkertaistettuja malleja, jotka eivät kuvaa monimutkaisia fyysisiä ilmiöitä. Esimerkiksi olettaen jatkuva liikkuvuus tai välittämättä lämpötila vaikutuksia voi johtaa merkittäviä poikkeamia todellisesta käyttäytymisestä.

Toinen virhe liittyy riittämätön verkko numeerisia simulaatioita. Karhea silmät voivat aiheuttaa epätarkkuuksia ratkaista DIFFERENTIAL EQUATIONS, erityisesti lähellä risteyksiä tai alueilla, joilla on korkea kenttägradientti.

Aineellisten ominaisuuksien vaikutus

Virheelliset materiaaliparametrit, kuten dopingpitoisuudet tai dielektriset vakiot, voivat vääristää simulointituloksia. Tarkka syöttötieto on ratkaisevan tärkeää puolijohdelaitteiden realistisessa mallintamisessa.

Simulaation tarkkuuden parantamiseen tähtäävät strategiat

Käyttämällä kehittyneitä malleja, joissa on lämpötilariippuvuus, kantoaineen yhdistelmä ja kvanttiefektit, voidaan parantaa tarkkuutta. Kalibrointi kokeellisella datalla auttaa tarkentamaan näitä malleja.

Silmätiheyden tarkentaminen kriittisillä alueilla ja simulointitulosten validointi todellisiin mittauksiin ovat tehokkaita tapoja vähentää virheitä. Uusimpiin tutkimuksiin perustuvien materiaaliparametrien säännöllinen päivittäminen auttaa myös parantamaan tuloksia.

  • Kattavat fyysiset mallit
  • Hienosäätö- ja mukautuva verkkotekniikka
  • Kalibroi malleja kokeellisilla tiedoilla
  • Päivitä materiaaliparametrit säännöllisesti
  • Validoidaan simulointitulokset perusteellisesti