Transistoripiireissä käytettävät kiillotustekniikat ovat välttämättömiä oikean toimintapisteen luomiseksi, asianmukaisen toiminnallisuuden ja vakauden varmistamiseksi. Transistorityypistä ja halutusta virtapiirin suorituskyvystä riippuen käytetään erilaisia menetelmiä. Tässä artikkelissa tarkastellaan yhteisiä harhautustekniikoita, niiden periaatteita ja käytännön sovelluksia.

Perussitomiskäsitykset

Sidonnan yhteydessä asetetaan transistorin päätejännitteet ja -virrat tietylle alueelle, tyypillisesti bipolaaristen risteystransistoreiden aktiiviselle alueelle (BJT). Oikein harhauttavat tekijät estävät vääristymän ja takaavat lineaarisen vahvistimen. Se myös vakauttaa piirin lämpötilan ja transistoriparametrien vaihteluilta.

Yhteiset sitomistekniikat

Käytännössä käytetään useita harhautuvia menetelmiä, joista jokaisella on etuja ja rajoituksia. Yleisimpiä tekniikoita ovat:

  • Kiinteät siat
  • Keräilijästä bassiin
  • Jännitejakaja Bias
  • Emitter Bias

Jännitejakaja Bias

Jännitteenjakajaa käytetään laajalti sen vakauden vuoksi. Se käyttää jännitejakajaverkkoa perusjännitteen asettamiseksi, jolloin harha ei ole yhtä herkkä transistoriparametrin vaihteluille. Tämä menetelmä tarjoaa vakaan käyttöpisteen lämpötilan muutoksiin ja transistorien korvaamiseen.

Kunnollisen kidnappauksen edut

Tehokas harhautus takaa lineaarisen toiminnan, vähentää vääristymiä ja parantaa piirin luotettavuutta. Se ylläpitää myös johdonmukaista suorituskykyä transistoriparametrien vaihteluista tai ympäristöolosuhteista huolimatta. Oikea harhautus on ratkaisevan tärkeää vahvistimille, oskillaattoreille ja kytkentäpiireille.