עקבו אחרי Graphene Patterning Challenges

התכונות יוצאות הדופן של Graphene - ניידות מטען מעל 200 ס"מ / V-s, מוליכות תרמית ליד 5000 W / mK, וכוח מכני 200 פעמים של פלדה - להפוך אותו מועמד ראשוני לדור הבא nanoelectronics. אבל תרגם תכונות אלה בקנה מידה מעבדה לתוך התקנים פונקציונליים מופעלת די קריטית על ידי רזולוציה גבוהה, ללא פגם דפוסים על ידי nanoscaleicography המסורתית עם מאבקים גרפים, כי הוא פחות מתקדם של גרף, 000 גרף, 000 גרף, 000 אטומים יעיל יותר, 000 גרורתי, 000 גרף יעיל יותר גרורתי, 000 גרף יעיל יותר גרף, 000 גרף, 000 גרף גרף גרף גרף אטומית, 000 פגום, 000 אטומית, 000 גרורתי, 000 פתור תכונות פתור יעיל יותר אטומית, 000 גרורתי, 000 אטומית, 000 מפונקציה מופעלת, 000 פגום על ידי מפונקציה מופעלת, 000 גרורתי יעיל יותר גרף יעיל יותר מפונקציה מפונקציה, 000 מפונקציה, 000 מפונקציה רזולוציה גבוהה יותר גרור מפונקציה מפונקציה מפונקציה גרור

דפוס מוקדם חייב לטפל בשלושה אתגרים עיקריים: מיניפסט של גסות (אשר מתפזרים נושאים ו degrads ניידות), שליטה אחידות בגודל כולל באזורים גדולים, ושימור האיכות הפנימית של גרפן במהלך ואחרי עיבוד. דרישות אלה מחמירות במיוחד עבור ייצור שטח wfer-scale, שבו פגמים במכשיר יחיד יכולים לפשרה רצף שלם של התקדמות לאחרונה ב-Direct-write, self-mbenes הוכחה נמוכה, ו-pensicing טכניקות מורכבות.

טכניקות מפתח ב Graphene Patterning

כל שיטה מציעה יתרונות ברורים בהתאם ליישום המטרה.הטכניקות הבאות מייצגות את המצב הנוכחי של האמנות, מלימוזינה אלקטרונית-באם מבוססת לחסום חדשני שיטות הערכה עצמית ו לייזר.

אלקטרון באם ליתוגרפיה (EBL)

EBL נשאר תקן הזהב עבור התקנים גרף Prototyping nanoscaleene. a אלקטרונית ממוקדת קרן (בדרך כלל 1-100 keV) סריקות על פני פולימר התנגדות - בראש הממשלהMA (polymethyl methacrylate) - מעבר קישור או פיסול פולימר כדי ליצור מסכה.לאחר פיתוח, אזורי גרפן חשופים מוסרים באמצעות פלסמה, עוזב את התבנית הרצויה כדי להשיג דיוק 51- עם גודל נמוך.

עם זאת, EBL סובל מרזולוציה נמוכה של דרך דויטש כי זה כותב כל פיקסל באופן סדרתי.להציל ייצור של 4 אינץ 'כל 4 אינץ 'יכול לקחת שעות, מה שהופך אותו לא מעשי עבור ייצור נפח.בנוסף, אלקטרונים באנרגיה גבוהה יכול להזיק גרפן לקטסט ישירות או באמצעות ייצור אלקטרונים משני, המציג פגמים נקודתיים כגון vacancies ו sp3 אג"ח זה להפחית את הניידות עד 40% האחרונים כוללים שימוש בטמפרטורות נמוכות יותר (MA- 40) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר (R) ו- 10) כדי להפחית את ההשפעות נמוכות יותר (nC) כדי להפחית את ההשפעות נמוכות יותר) ו- 10) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר (nbgent) כדי להפחית את רמות צלזיוס) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר (nbsp) ולהפחית את רמות נמוכות יותר (nbtraic) ולהפחית את רמות נמוכות יותר (nbate טמפרטורה נמוכה יותר) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר (מאטמיכות) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר (מאטמימין (nbsp; 000) מאשר תאים בינוניות) כדי להפחית את רמות צלזיוס) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר) כדי להפחית את רמות נמוכות יותר) ולהפחית את רמות

בלוק Copolymer Self-Assembly

בלוק copolymer (BCP) ליתוגרפיה מנצלת את ההפרדה המיקרו-phase של שני בלוקים פולימרים בלתי אפשריים - לדוגמה, polystyrene-block-polymethyl methacrylate (PS-b-PMMA) - כדי ליצור תבניות תקופתיות עם תכונות קטנות כמו 5-10 nm. באמצעות או פתרון תרמי של annealing, צורות BCP הורה דומיין (רמים יקרים), או ספירתיקים מהירים (re) לאחר מספר דקות לאחר מכן, כלומר, כגון כלי סגסוגת אחת (re) או סגסוגת פשוטה (re) או גרורתית (re) או סגסוגת פשוטה (re) או פשוטה יותר (re) או כמכשירים מהירים (re) או ⁇ (re) או כמכשירים מהירים יותר (re) לאחר דקות).

היתרון העיקרי הוא calability וחסכוניות יעילות. כי BCP self-assembly מסתמכ על תרמודינמיקה ולא על כתיבה חיצונית, זה יכול לייצר מיליארדי nanostructures זהה במקביל, עם זאת, השגת סדר ארוך טווח על מרחקים מקרוסקופיים נשאר מאתגר; פגמים כגון גבולות דגנים ופספיראטיות קו משותף.

מגבלה נוספת היא גיאומטריה: BCP באופן טבעי טפסים רק לקטים פשוטים (square, hexagonal) וצורות (קווים, dots, טבעות) פריסות מעגלים מורכבים דורשות מספר רב של שלבים או שילוב עם ליתוגרפיה משלימה. עם זאת, BCP self-assembly כבר משולב בהצלחה עם גרפן עבור ייצור זיכרונות צפופים, מחסנים פוטודקטורים, והקלטות אלקטרודות עצביות.

לייזר וכתיבה ישירה

דפוס מבוסס לייזר מציע מערכת ללא מסיכה, ללא מגע, ושיטת מהירה עבור גרפן. על ידי התמקדות לייזרים קצר-pulse (femto השני כדי nanoII) על פני השטח גרפן, ספיגת אנרגיה גורמת חימום מקומי ונשגב.זה תהליך "write-remove" יכול ליצור דפוסים עם נזק מינימלי לאזורים הסמוכים, בתנאי לייזר (אורך, שפעת, משך, חזרות, במיוחד, חסימת חום, הם במהירות גבוהה יותר מאשר פעימות חום, במיוחד, 000 איטי יותר, 000 איטי יותר, 000 איטי יותר, 000, 000.

באמצעות עבודה חדשה הפגינה מכשירי גרפן עם גודל תכונה עד 200 nm, מוגבל על ידי גודל מיקום ממוקד לייזר מוקד. טכניקות מתקדמות כגון בדיקות אופטיות שדה ליד שדה ו עדשות plasmonic יכול לדחוף את ההחלטה מתחת 50 nm, אם כי עלות ללחיצת דרך. לייזר הוא מתאים במיוחד עבור אלקטרוניקה גמישה כי זה למנוע מפתורים כימיים וגרף על מצעים רכות, כמו שבץ, כמו חיישנים שבץ, 000 שבץ, 000, 000, 000, 000 קיבולת, 000, 000, 000, 000 אימונים, 000, 000 אימונים, 000, 000 אימונים, 000 קיבולת, 000 , 000 קיבולת, 000 קיבולת, 000 קיבולת, 000 קיבולת, 000.

גרסה בשם "העברה קדימה" (LIFT) שימשה להפקיד גרפן טרום-מפונה ישירות על מצע היעד, חיסול שאריות לאחר-מחדש.בינתיים, "כתיבה לייזר עקיף" על תחמוצת גרפן (GO) מקטין את תחמוצת הגרפן (rGO) תוך הגדרת תכונות התנהגותיות.

פלאסמה אתנג עם מסכות קשות ורכות

Plasma etching, בדרך כלל באמצעות חמצן או פלזמות argon, היא שיטה סטנדרטית subtractive עבור גרפן. כדי להשיג דפוסים מדויקים, מסכה וכו ' נדרש להגן על אזורים נבחרים.המסות קשיחות כגון SiO2, Al2O3, או מימןsquioxane (HSQ) להציע גבוה וכו 'סלקטיביות וכו '(% 1 לעומת oxide) ו unareamsams) הם יכולים להחיל את העלולים פשוטים יותר כמו גרף מתכתבגדוליים, אבל גרף של גרף של גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף סוללת סוללת סוללת סוללת סוללת ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

התקדמות עדכנית כוללת "שכבת שכבת אטומית" (ALET) - תהליך מחזורי של מעבר (למשל, עם O2 או Cl2 monolayer) ואחריו הפצצות יון אנרגיה נמוכה. ALET מצמצם בדיוק שכבה אטומית אחת לכל מחזור, ומאפשרת גרף-רמת שליטה על תפקודים אחרים.

NIL (NIL)

הליתוגרפיה הננומטרית מעבירה דפוסים מבול מאסטר לשכבה התנגדות על ידי עיוות מכני, לעתים קרובות בשילוב עם UV ריפוי או embosing. עבור גרפן, NIL מציעה גישה גבוהה דרך, גישה זולה בעלות נמוכה עם החלטה למטה עד 10 nm. הבול יכול להיות מארגמן, quartz, או עם תכונות מוגדרות על ידי EBL או ממוקד להיות מוקרן, לאחר גרף 5 אינץ ', 000 גרף גרף הוא מוטבעת, 000 גרף, 000 גרף, 000 גרף גרף גרף גרף גרף הוא מוטבעת, 000 גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף ⁇ גרף גרף גרף גרף גרף ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇

אתגרים מרכזיים כוללים ללבוש חותמת, דפוס קריסת בתכונות גבוהה-aspect-ratio, ומתנגדים לזיהום של גרפן לאחרונה, גרסאות "dry" כגון "חופשיות לימוזינה" NIL באמצעות שכבות נגד פלונית נגד מקלות סולידיות מופחתות עבור לוחות גרף חזק, כמו קידוד DSA-Fed-Fed-tminant Passing עם חותמות PDMS מאפשר מגע דביק או גמיש, בעוד ש-N דורשות נמוכה ביותר של רזולוציה נמוכה של NEXN.

טכנולוגיות מתפתחות וכיוונים עתידיים

הכונן לדפוסי גרפן קטנים יותר, אמינים יותר יצר דור חדש של שיטות היברידיות ו חישוביות.גישות אלה נועדו לשלב את נקודות החוזק של טכניקות קיימות תוך הקטנת החולשות שלהם.

Plasmonic-Assisted Lithography

ליתוגרפיה פלאסמונית משתמשת בפילסמוני משטח - oscillations אלקטרונים בממשקים מתכת-דיאלקטריים - להתמקד אור מעבר למגבלת התפוצה.על ידי תכנון עדשות plasmonic (למשל, אנטנה קשתית, ננוורות, או לוחיות אזור Fresnel), החוקרים השיגו גדלים כ -20 nm באמצעות אור גלוי בשילוב עם מגוון רחב של תמונות מקבילות (xol) או גרף של תכונות אדפטומטיות (a) מקבילות (a) גרף יכול להיות גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף גרף

עבודה אחרונה ב UC ברקלי הדגים מערך אנטנה מכוונת מקודמת שמדיקה 30nm-wide גרפן nanoribbons על שטח 1 ס"מ2 עם צפיפות פגומה מתחת 0.1 ל- μm2.הטכניקה תואמת גם עם תת-שכבות גמישות ותנאים מתפתלים, תוך מחיקת הצורך בשיפורים של ריק.אתגרים כוללים ניהול חום בטיפים plasmonic (שיכול להמיס או נזק) ובלבד שגובהו של ריבועים, במיוחד, במיוחד, אם כיעדויות מתקדמות, בין שתי רזולוציה מתקדמת, אם כימותרפיסטפטפטפטפטפטמטית, אם כיעדינות, אם כיעד 10, אם הוא יעיל, במיוחד, עם , עם , עם , עם רזולוציה מתקדמת, עם רזולוציה מתקדמת, עם רזולוציה מתקדמת, עם זאת, עם טיקאי-מקודמת, עם טיקות, עם , עם , עם רזולוציה מתקדמת, עם קדמית, עם קדמית, עם טיקות, עם רזולוציה מתקדמת, עם קדמית, עם טיפול משולבות, עם קדמית, עם רזולוציה רזולוציה גבוהה, עם רזולוציה רזולוציה רזולוציה רזולוציה רזולוציה קדמית, עם

שכבת אטומית (ALD) מבוססת דפוס

ALD משמש בדרך כלל לגידול סרט דק, אבל טוויסט יצירתי משתמש ALD כדי להעביר באופן סלקטיבי משטחים גרפן. לדוגמה, על ידי חשיפת גרפן לפלסמה חמצן באנרגיה נמוכה, קבוצות הידרוקסיל נוצרים רק על אזורים פגומים. subsequent ALD של אל2O3 או HfO2 הפקדה מתכת תחמוצת רק על אתרים מופעלים אלה, יצירת מסכה כי הגנה על s בבסיס cryptocurrencies 1 פגום לאחר מכן לתוך ⁇ יעיל לאחר מכן â â â â ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ â ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ â â â ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢ ¢

גישה חלופית היא להשתמש ALD כדי להפקיד שכבת הקרביות (למשל, 1-2 nm Al2O3) באופן אחיד על גרפן, ולאחר מכן דפוס זה על ידי EBL או ננומטרד, ולהעביר את התבנית לתוך גרפן דרך וכו ', כי שכבת ALD היא דק מאוד ותואם, הוא מספק שיפור התנהגות וכו ', כמו מחסום נגד conmination נגד conmination, יש להשתמש בטכניקות אחרות כדי ליצור גרף יותר של גרף עם גרף עם גרף עם גרף יותר גרף עם גרף יותר גרף עם אינטגרטיבי יותר סגסוגת aLD הוא ככל הנראה גרף עם גרף יותר סגסוגת יותר גרף עם גרף יותר גרף יותר גרף עם גרף עם גרף עם גרף יותר גרף יותר גרף עם גרף עם גרף עם אינטגרטיבי יותר גרף עם גרף עם גרף גרף אינטגרטיבית.

עיבוד של Machine Learning-Driven Process Optimization

המורכבות של דפוס גרפן - משתנים מורכבים (עובי רציני, טמפרטורה, מנה החשיפה, זמן פיתוח, כוח פלזמה, זרימת גז) עם אינטראקציות לא לינאריות - עושה אופטימיזציה של הניסוי וטרור יעיל.מודלים למידה מכונה (ML), במיוחד אופטימיזציה Bayesian ורשתות עצביות, יכול לחזות תוצאות של נתונים היסטוריים וממליץ על סטים כי ממזער פגמים ופתרון מחקרים אחרונים כבר מוחלים ל- 30 גרפים של אנרגיה, 000, 000 יעילות, 000, 000, 000 יעילות, 000 יעילות, 000, 000 יעילות, 000 יעילות, 000, 000 יעילות, 000 יעילות, 000 יעילות, 000 יעילות, 000 יעילות, 000 גרף לחץ דם יעיל יותר, 000 גרף גרף לחץ דם יעיל כדי להפחית גרף לחץ דם יעיל.

יישום נוסף הוא מכוונת עצמית הערכה עצמית: אלגוריתמים של ML יכולים להפר את האנרגיה הדרושה על פני השטח או להנחות גיאומטריה כדי להשיג פגום ללא BCP הזמנת על אזורים גדולים. A צוות ב-MIT השתמש ברשת עצבית convolutional לנתח תמונות SEM של דפוסי DSA, המאפשר שליטה סגורה-loop כי הפחיתה את הפגמים מתחת 1 ל- 10 ל- 10 מיקרומטר2.

גישות היברידיות: שילוב ישיר-וטקס ועצמיות

אין טכניקה אחת כרגע משביעה את כל הדרישות לפתרון, דרך חישוב, ושימור חומרי.על כן, שיטות היברידיות המשלבות את התכונות הטובות ביותר של טכניקות מרובות צוברות מערכת. לדוגמה, תהליך של שני שלבים עשוי להשתמש DSA כדי ליצור מערך קבוע של תכונות ננומטריות (למשל, מחסומים במסכה), ואחריו פלזמה סלקטיבית להעביר את התבנית לתוך גרפן.

אסטרטגיה היברידית נוספת כוללת להפקיד סרט מתכת דק (למשל, 1–3 nm של Ti או Au) על גרפן, ולאחר מכן דפוס המתכת על ידי דלקת לייזר.המתכת פועלת כמו מסכה קשה במהלך שלפוחית הפלסמה הבאה, מניב תכונות גרפן שנותרו גרף 1 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000 000

יישומים בNanoelectronics

טכניקות דפוס המתוארות לעיל מאפשרות דור חדש של התקנים מבוססי גרפן. אזורי יישום מפתח כוללים:

  • (FLT:0Graphene transistors ו מעגלים משולבים:FLT 1 Sub-10-nm ננובירון שדה-אפקט טרנזיסטורים (GNR-FET) עם יחס גבוה על /off נבדקים עבור לוגיקה מעבר ל-CMOS. Precise שליטה באמצעות ALET או DSA חיוני להשגת להקות > EV ללא אובדן יתר של תאים, כגון גלמ"ל, 000, 000 כמו גלנרים, 000, 000, 000 כמו גם עיגולים כפול, 000.
  • יחס פני השטח הגבוה של Graphene:0sensors ו biosensors: Figer: ⁇ 1 (GanoFLT:1 ), יחס פני השטח הגבוה של Graphene הופך אותו לטרנפור מעולה.דפוס ערוצי גרפן מעוטרים nanoparticles פונקציונלי יכול לזהות מולקולות בודדות של DNA, חלבונים או גזים ברמות של חלקיקים-b- מיליארדים.
  • (FLT:0) אלקטרוניקה לבישת:FreaLT:1) השילוב של גמישות מכנית של גרפן ושקיפות אופטית (97.7% לכל שכבה) הופך אותו אידיאלי עבור תצוגות גמישות, e-skin ו כתמים חכמים. רול-to-roll וכתוב לייזר הם שיטות דפוס המוביל עבור יישומים אלה, המאפשר ייצור נמוך על גבי פלסטיק, נייר, ייצור, ייצור.
  • (FLT:0)Quantum מכשירים:FLT:1 Graphene קוונטי dots ו transistors חד-אלקטרוני דורשים הגבלה אולטרה-regular עם הפרעה מינימלית.בלוק copolymer DSA ו- ALD-based Passivation שימשו ליצירת מערך של dots קוונטיים גרפין עם אנרגיות טעינה מעל 100 meV, מתאים לעיבוד קוונטי.
  • (FLT:0) photodetectors ו- Optoelectronics:03:1 גרפן דפוס יכול לשמש אלקטרודות שקוף, ערוצי photodetector, או plasmonic Couplers. Sub-wave מבנים נעים לאפשר ספיגה אור משופרת, השגת responsivities מעל 10 A / W בתצוגה גלויה לתבניות ליד-frared.

כל יישום מציב דרישות שונות על פתרון דפוס, איכות קצה והיקף.לדוגמה, טרנזירים לוגיים דורשים תכונות תת-עשרה-nm עם קצוות חלקה אטומי, בעוד חיישנים גמישים יכולים לסבול תכונות בקנה מידה מיקרון עם דלקות פגומות גבוהות יותר. יצרנים חייבים לבחור את הגישה המדוייקת כי הטוב ביותר עלות וביצועים עבור המוצר הספציפי שלהם.

תחזית לעתיד ומסקנות

המסלול של גרפן דפוס נקודות מחקר לקראת שילוב רב יותר של טכנולוגיות מרובות.אנו צופים שפלטפורמות ייצור בוגרות משלבות את הליתוגרפיה העליונה (NIL או DSA) להגדרה גלובלית, הערכה עצמית נמוכה יותר עבור הסדר המקומי, ו-ML-----ניהול תהליך מונע של אופטימיזציה לתשואות.אזורים הדורשים חקירה נוספת כוללים את הפחתת שאריות המתכת ממסכות קשות, פיתוח של כימאיימים להעברה (Cry) לגרורת מטרות מ-Crysives) ל-Crysivesives (Cry) כדי לשמר את תהליכי גרף של גרף (Crydemerketching) ללא אופטימיזציה של גרפים (Cry) ללא אופטימיזציה של גרף של גרף של גרף של גרף של גרפים (Cry) של גרפים) של גרפים (Cry) ללא אופטימיזציה של גרף של גרף של יישומים (Crysives) ללא אופטימיזציה ל-Crys) ללא אופטימיזציה ל-Crysivesivesives) של יישומים (Crysivesivesives) ללא אופטימיזציה של יישומים של יישומים עבור אופטימיזציה של יישומים של יישומים של יישומים (Crysivesivesivesives

שיתוף פעולה בין קבוצות אקדמיות לבין קבוצות תעשייתיות כבר נושא פירות: חברות כמו Graphenea, Applied Materials, ו- IBM דיווחו על ייצור טייס של מכשירי גרפן באמצעות DSA ו- ALET עם רמות פגומות מקובלות על קטגוריות מוצר מסוימות.בינתיים, FLT:0recent מחקר ב-Nano LettersFLT:1 הוכיחה transistors אנכיים עם ערוץ 5nm, בעוד ש-FLT2aple גרף זיכרון מלא יותר עם גרף 3.

לסיכום, טכניקות ייצור מתקדמות - אלקטרון beam lithography, לחסום copolymer self-assembly, לייזר blation, פלזמה גירוד עם דיוק אטומי, nanoimprint, ולפתח שיטות plasmonic / מ-ML-מרוצה - כל אחד לתרום יכולות ייחודיות לתיבת הכלים המשולבת של גרפן, כדי להפחית את הבחירה של הטכניקה תלויה ברזולוציה, באמצעות מגבלות תת-הת של המטרה, כמו גם תהליכים אלקטרוניים, כדי להפחית את המתקדמים יותר, כדי להפחית את ה-ידיים, כדי להפחית את ה-הטווח מוקדם יותר, כדי להפחית את ה-הטווח הארוך יותר, כדי להפחית את ה-הטווח של מערכות המחקר ה-החדש, כדי להפחית את ה-החדשניים, כדי להפחית את ה-החדשניים, כדי להפחית את ה-ידינואידים, כדי להפחית את ה-האפקטיביים של שיטות מחקר אלקטרוני, כדי להפחית את ה-להפוך, כדי להפחית את ה-לתקן באופן יעיל יותר, כדי להפחית את ה-החדשניים, כדי להפחית את ה-הטווח המהיר יותר, כדי להפחית את ה-הטווח של טכניקות מתקדמות יותר, כדי להפחית את ה-ידינומטרדפסיביים-ידי סיליקון-ידי