ट्रांजिस्टर की बारी-बारी को समझना कुशल शक्ति परिवर्तकों को डिजाइन करने के लिए आवश्यक है। सिलिकॉन और गैलियम नाइट्राइड (GaN) ट्रांजिस्टर में अलग-अलग विशेषताएं हैं जो उनके स्विचिंग व्यवहार और समग्र प्रदर्शन को प्रभावित करती हैं।

सिलिकॉन ट्रांजिस्टर टर्न-ऑन वोल्टेज

सिलिकॉन ट्रांजिस्टर में आम तौर पर 0.7V से 1.5V तक एक थ्रेसहोल्ड वोल्टेज होता है। यह वोल्टेज न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज है, जो ट्रांजिस्टर को चालू करने और वर्तमान प्रवाह की अनुमति देने के लिए आवश्यक है। सटीक मान विशिष्ट उपकरण और इसकी विनिर्माण प्रक्रिया पर निर्भर करता है।

डिजाइनर अक्सर विश्वसनीय स्विचिंग सुनिश्चित करने के लिए थ्रेसहोल्ड वोल्टेज के ऊपर एक मार्जिन पर विचार करते हैं। उदाहरण के लिए, एक सिलिकॉन MOSFET को पूरी तरह से इसे चालू करने के लिए 10V के गेट वोल्टेज के साथ संचालित किया जा सकता है, साथ ही इसकी थ्रेसहोल्ड से ऊपर भी।

GaN ट्रांजिस्टर टर्न-ऑन वोल्टेज

गैलियम नाइट्राइड ट्रांजिस्टर में आम तौर पर 2V और 4V के बीच एक उच्च सीमा वोल्टेज होता है। उन्हें स्विच करने के लिए उच्च गेट-टू-सोर्स वोल्टेज की आवश्यकता होती है, लेकिन एक बार सक्रिय होने पर वे प्रतिरोध और तेजी से स्विचिंग गति को कम करते हैं।

यह विशेषता उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों और उच्च दक्षता शक्ति रूपांतरण के लिए उपयुक्त GaN ट्रांजिस्टर बनाता है। उचित गेट ड्राइव वोल्टेज पूरी तरह से अपने फायदे का उपयोग करने के लिए महत्वपूर्ण है।

कन्वर्टर्स में थ्रेशोल्ड की गणना

एक कनवर्टर में टर्न-ऑन वोल्टेज थ्रेसहोल्ड को निर्धारित करने के लिए ट्रांजिस्टर के डेटाशीट विनिर्देशों पर विचार करें। थ्रेसहोल्ड वोल्टेज (V [FLT: 0]th ]) चालन के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट वोल्टेज को इंगित करता है। सुनिश्चित करें कि गेट ड्राइव सर्किटरी विश्वसनीय संचालन के लिए इस थ्रेसहोल्ड के ऊपर एक वोल्टेज प्रदान करता है।

सिलिकॉन ट्रांजिस्टर के लिए, 10V का एक विशिष्ट गेट ड्राइव वोल्टेज आम है, जो सीमा के ऊपर सुरक्षा मार्जिन प्रदान करता है। GaN ट्रांजिस्टर के लिए, 4V से 5V का ड्राइव वोल्टेज अक्सर पर्याप्त होता है, लेकिन कुछ डिज़ाइनों को पूर्ण चालन के लिए उच्च वोल्टेज की आवश्यकता हो सकती है।

  • V]] के लिए ट्रांजिस्टर डेटाशीट की जाँच करें।
  • सुनिश्चित करें कि गेट ड्राइव वोल्टेज वी से अधिक है एक सुरक्षित मार्जिन द्वारा।
  • स्विचन आवश्यकताओं के आधार पर ड्राइव सर्किटरी समायोजित करें।
  • तापमान प्रभाव को सीमा वोल्टेज पर विचार करें।