MOSFET आधारित कन्वर्टर्स में हानि को बदलना दक्षता और थर्मल प्रबंधन को काफी प्रभावित करता है। इन नुकसानों की उचित गणना और न्यूनतमकरण इष्टतम प्रदर्शन के लिए आवश्यक हैं। यह लेख पावर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग नुकसान का मूल्यांकन और कम करने के तरीकों का अवलोकन प्रदान करता है।

स्विचिंग हानियों की गणना

जब MOSFET राज्यों के बीच और बंद हो जाता है तो संक्रमण अवधि के दौरान स्विचन नुकसान होता है। इन नुकसान को प्रभावित करने वाले प्राथमिक कारकों में नाली स्रोत वोल्टेज, गेट चार्ज और स्विचिंग आवृत्ति शामिल है। स्विचिंग नुकसान के लिए मूल सूत्र (Psw) है:

P]sw] = 0.5 × V]DS] × I]D]] × (ton]] + t]off]]]]]]]]]]]

कहाँ V DS नाली स्रोत वोल्टेज है, I D] नाली वर्तमान है, ton] और toff] टर्न-ऑन और टर्न-ऑफ टाइम हैं, और f] स्विचिंग आवृत्ति है। इन मापदंडों का सटीक माप या अनुमान स्विचन हानि की सटीक गणना के लिए अनुमति देता है।

स्विचन हानियों को कम करने के तरीके

स्विचन घाटों को कम करने के उद्देश्य से कई रणनीतियों को शामिल किया गया है जिसका उद्देश्य MOSFETs के स्विचिंग व्यवहार को अनुकूलित करना है। इनमें गेट ड्राइव संकेतों को समायोजित करना, उचित उपकरणों का चयन करना और सर्किट डिजाइन संशोधन शामिल हैं।

गेट ड्राइव का अनुकूलन

उपयुक्त वोल्टेज स्तरों के साथ एक गेट ड्राइवर का उपयोग तेजी से स्विचिंग संक्रमण को सुनिश्चित करता है, टी पर और टी ]off ] को कम करता है। उचित गेट प्रतिरोध भी नुकसान और विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप को संतुलित करने की स्विचिंग गति को नियंत्रित कर सकता है।

उपयुक्त MOSFETs का चयन

MOSFETs को लो गेट चार्ज (Q g]) और फास्ट स्विचिंग क्षमताओं के साथ चुनें। कम आउटपुट समाई और अनुकूलित थ्रेसहोल्ड वोल्टेज वाले उपकरण स्विचिंग नुकसान को कम करने में योगदान देते हैं।

अतिरिक्त तकनीक

  • ऐसे resonant या शून्य वोल्टेज स्विचिंग के रूप में सॉफ्ट-स्विचिंग तकनीकों को लागू करना।
  • जहां संभव हो वहां स्विचिंग आवृत्ति को कम करना।
  • स्विचन के दौरान वोल्टेज स्पाइक को सीमित करने के लिए स्नोबर्स या स्नबर्स सर्किट का उपयोग करना।