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ऑन-प्रतिरोध (Rds(on)) MOSFET उपकरणों में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो उपकरण चालू होने पर नाली और स्रोत के बीच प्रतिरोध को दर्शाता है। Rds(on)]] का सटीक गणना कुशल सर्किटों को डिजाइन करने और उचित घटकों का चयन करने में मदद करती है।
समझो-resistance
ऑन-प्रतिरोध डिवाइस के भौतिक गुणों और परिचालन स्थितियों से प्रभावित होता है। यह MOSFET में बिजली अपव्यय और गर्मी उत्पादन को प्रभावित करता है। लोअर RDs(on) उच्च दक्षता अनुप्रयोगों के लिए मान वांछनीय हैं।
ऑन-रिसिस्टेंस की गणना करने के लिए कदम
R]Ds(on)[ की गणना करने के लिए, जब MOSFET पूरी तरह से चालू हो तो नाली और स्रोत टर्मिनलों में वोल्टेज ड्रॉप को मापें। सूत्र का उपयोग करें:
R]ds(on)]] = Vds / I]d]]]]]]]]]]
प्रैक्टिकल विचार
सुनिश्चित करें कि MOSFET एक वास्तविक ऑन-स्टेट प्राप्त करने के लिए अपने निर्दिष्ट गेट वोल्टेज के भीतर काम कर रहा है। सटीक RDs(on) मान प्राप्त करने के लिए वोल्टेज और वर्तमान मापें। तापमान प्रतिरोध को भी प्रभावित करता है; इच्छित ऑपरेटिंग तापमान पर माप करता है।
अतिरिक्त सुझाव
- माप के लिए एक सटीक मल्टीमीटर या स्रोत-माप इकाई का उपयोग करें।
- डिवाइस के रेटेड गेट वोल्टेज पर परीक्षण करें।
- विभिन्न धाराओं पर रेखीयता का निरीक्षण करने के लिए रिकॉर्ड माप।
- उच्च-वर्तमान परीक्षण के दौरान थर्मल प्रभाव पर विचार करें।