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MOSFETs की विश्वसनीयता और दीर्घायु का आकलन टिकाऊ इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों को डिजाइन करने के लिए आवश्यक है। सटीक मूल्यांकन विफलताओं को रोकने में मदद करता है और डिवाइस की उम्र को बढ़ाता है। कई व्यावहारिक तरीकों का उपयोग समय के साथ MOSFET प्रदर्शन का मूल्यांकन करने के लिए किया जाता है।
थर्मल तनाव परीक्षण
थर्मल तनाव परीक्षण में लंबे समय तक उपयोग को अनुकरण करने के लिए उन्नत तापमान पर MOSFET का संचालन करना शामिल है। यह विधि गर्मी से संबंधित संभावित विफलता मोड की पहचान करने में मदद करती है, जैसे थर्मल रनवे या सामग्री गिरावट। परीक्षण के दौरान निगरानी उपकरण पैरामीटर थर्मल स्थिरता और विश्वसनीयता में अंतर्दृष्टि प्रदान करता है।
विद्युत तनाव परीक्षण
विद्युत तनाव परीक्षण अपने धीरज का मूल्यांकन करने के लिए MOSFETs पर उच्च वोल्टेज या वर्तमान लागू होता है। यह प्रक्रिया डिवाइस के गेट ऑक्साइड या अन्य घटकों में कमजोरियों को प्रकट कर सकती है। विभिन्न विद्युत स्थितियों के तहत दोहराए गए परीक्षण जीवन काल और विफलता संभावना का आकलन करने में मदद करता है।
त्वरित जीवन परीक्षण
त्वरित जीवन परीक्षण में MOSFETs को अत्यधिक स्थितियों के अधीन करना शामिल है, जैसे कि उच्च तापमान और वोल्टेज, विफलता तंत्र को गति देने के लिए। इन परीक्षणों से एकत्रित डेटा का उपयोग सामान्य ऑपरेटिंग स्थितियों के तहत डिवाइस की अपेक्षित जीवनकाल को मॉडल करने के लिए किया जाता है। यह दृष्टिकोण दीर्घकालिक विश्वसनीयता का एक व्यावहारिक अनुमान प्रदान करता है।
कुंजी विश्वसनीयता संकेतक
- Mean Time to Failure (MTTF): विफलता से पहले औसत परिचालन समय।
- ]Failure rate: एक निर्धारित अवधि में विफलताओं की आवृत्ति।
- ]Thermal प्रतिरोध: की क्षमता गर्मी को बिना गिरावट के नष्ट करने की है।
- Gate Charge: ऊर्जा को डिवाइस को स्विच करने की आवश्यकता है, जो विश्वसनीयता को प्रभावित करता है।