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वास्तविक सर्किट में MOSFETs की समाई को मापने के लिए उनके व्यवहार और प्रदर्शन को समझने के लिए आवश्यक है। सटीक माप इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों को डिजाइन और समस्या निवारण में मदद करते हैं। इन समाई को प्रभावी ढंग से निर्धारित करने के लिए कई व्यावहारिक तरीकों को नियोजित किया जा सकता है।
MOSFET क्षमता को समझना
MOSFETs कई पैरासिटिक समाई है, जिसमें गेट-टू-सोर्स, गेट-टू-ड्राइन और ड्रेन-टू-बुल्क शामिल हैं। ये समाई डिवाइस की स्विचिंग गति और आवृत्ति प्रतिक्रिया को प्रभावित करती हैं। उन्हें एक सर्किट में मापने के लिए प्रत्येक घटक को अलग करने और मात्रा बनाने के लिए विशिष्ट तकनीकों की आवश्यकता होती है।
एक LCR मीटर का उपयोग करना
एक LCR मीटर सीधे धारिता को माप सकता है जब MOSFET एक परीक्षण सर्किट में होता है। ऐसा करने के लिए, सर्किट से MOSFET को डिस्कनेक्ट करें या यह सुनिश्चित करें कि यह एक सुरक्षित राज्य में है। मीटर को ब्याज के टर्मिनलों में कनेक्ट करें, जैसे कि गेट और स्रोत, और रीडिंग रिकॉर्ड करें। यह विधि परजीवी समाई का त्वरित अनुमान प्रदान करती है।
एक ऑस्किलोस्कोप के साथ समाई मापन
एक oscilloscope का उपयोग MOSFET capacitance को मापने के लिए किया जा सकता है, जो गेट पर एक ज्ञात वोल्टेज कदम लागू करके और चार्जिंग वक्र को देख सकता है। चार्जिंग प्रक्रिया का समय स्थिर होने पर कैपेसिटी और सर्किट में प्रतिरोध से संबंधित होता है। सूत्र C = τ / R का उपयोग करके, जहां τ समय स्थिर है, और R प्रतिरोध है, समाई की गणना की जा सकती है।
अतिरिक्त तकनीक
अन्य तरीकों में उच्च आवृत्ति माप के लिए डिज़ाइन किए गए नेटवर्क विश्लेषक या विशेष परीक्षण उपकरण का उपयोग करना शामिल है। ये तकनीक अधिक जटिल हैं लेकिन उच्च सटीकता प्रदान करती हैं, विशेष रूप से उच्च गति वाले स्विचन अनुप्रयोगों के लिए। उचित अंशांकन और सर्किट सेटअप विश्वसनीय परिणामों के लिए महत्वपूर्ण हैं।