MOSFET मापदंडों को मापने के लिए सही ढंग से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट डिजाइन और परीक्षण के लिए आवश्यक है। विभिन्न तरीकों का उपयोग प्रयोगशाला में किया जाता है ताकि वे थ्रेसहोल्ड वोल्टेज, ट्रांसकंड्रेंडेंस और ड्रेन करंट जैसी प्रमुख विशेषताओं को निर्धारित किया जा सके। ये माप उपकरण व्यवहार को समझने और अनुप्रयोगों में उचित संचालन सुनिश्चित करने में मदद करते हैं।

मापने थ्रेसहोल्ड वोल्टेज

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज (V th ) MOSFET को चालू करने के लिए न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज की जरूरत है। इसे मापने के लिए, एक सरल सेटअप में एक नाली-सोर्स वोल्टेज लागू करना शामिल है और धीरे-धीरे नाली चालू होने के दौरान गेट वोल्टेज को बढ़ा देना शामिल है। V th] को उस बिंदु पर पहचाना जाता है जहां नाली चालू काफी बढ़ना शुरू होता है।

ट्रांसकंडेशन का निर्धारण

ट्रांसकंडेशन (g m]) इंगित करता है कि गेट वोल्टेज नाली चालू को प्रभावी ढंग से नियंत्रित करता है। इसकी गणना एक निरंतर नाली स्रोत वोल्टेज पर गेट वोल्टेज में परिवर्तन के संबंध में नाली चालू में परिवर्तन को मापने के द्वारा की जाती है। वक्र निशानेबाजी या एक पैरामीटर विश्लेषक का उपयोग इस प्रक्रिया को सरल बनाता है, सटीक जी m मान प्रदान करता है।

वर्तमान मापन

नाली वर्तमान को मापने (I D) में एक ज्ञात नाली स्रोत वोल्टेज को लागू करना और गेट वोल्टेज को अलग करना शामिल है। स्रोत-माप इकाई या एक अर्धचालक पैरामीटर विश्लेषक का उपयोग सटीक वर्तमान रीडिंग की अनुमति देता है। Plotting ID]]] V]GS]] और V]DS] संतृप्ति वर्तमान और गतिशीलता जैसे विभिन्न मापदंडों को निकालने में मदद करता है।

अतिरिक्त परीक्षण विधि

अन्य तरीकों में डोपिंग प्रोफाइल के लिए समाई-वोल्टेज (C-V) माप और डिवाइस की गुणवत्ता के लिए सबथ्रेसहोल्ड ढलान विश्लेषण शामिल हैं। ये परीक्षण MOSFET व्यवहार में व्यापक अंतर्दृष्टि प्रदान करते हैं और उपकरण लक्षण वर्णन और गुणवत्ता नियंत्रण के लिए उपयोगी होते हैं।