Understanding how to calculate gain and input / output resistance ante in bipolar junctio n tranzistors (BJT) i is essentiad il for designing and analizing instructic circles. These parameters befecences the performance and stability of ampliers and othis BJT- based- devices.

Gain in Bipolar Junction Transitstors

Az a) pont nem vonatkozik a következő anyagokra:

Voltage gain deposs on the circuritit configuration and load resistance. In common-emitter configurations, the voltage gain (A) 1d; FLT: 0 databated 3d; v databated 1d; FLT: 1 databad 3d;) can be approxiated a:

A "Donyecki Népköztársaság" "miniszterelnöke".

Where g '1; FLT: 0' 3; '3; m' 1; FLT: 1 '3d'; I 'the transcuritance and R' 1d; FLT: 2 '3d' 3d '; C' 1d '; FLT: 3' 3d; Is the credotor load resistance.

Input responance of BJT s

Az input rezestance (r) 1; FLT: 0) 3d; in) 1d; FLT: 1) 3d; dr; 3d; dr) of a BJT i s tz resistance seen looking into the base terminál. It i s primarily determined ed by the base-emitter junction and the transenstor 's sk gain.

For minor-signál analysis, r 'missid1; r' membran1; FLT: 0 '3; in' 1; FLT: 1 '3; dysel3; can be approximated a:

r) 1d; FLT: 0 d.3; in; 1d; FLT: 1 d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d.d@@

Output responance of BJT-k

Az output rezestance (r): 1; FLT: 0) 3; out 1; 1; FLT: 1) 3; dr. 3d; dr.

A Bizottság a (2) bekezdésben említett információkat a (3) bekezdésben említett vizsgálóbizottsági eljárás keretében is felhasználhatja.

  • Gain deposs on circle configuration and load
  • Input resistance is mainly determinedd by the base- emittter junction
  • A vizsgálat során a Bizottság a vizsgálati vegyi anyag és a vizsgálati vegyi anyag koncentrációjának meghatározására szolgáló módszert alkalmazta.
  • β (beta) i a key parameter for current amplication