p-n ジャンクションの組み込みの潜在能力は、半導体デバイスの動作に影響を与える重要なパラメータです。理論的な計算や実験的な測定を含むさまざまな方法によって決定することができます。このガイドは、組み込みの潜在的可能性を正確に推定するための実用的な手順を提供します。

作り付けの潜在能力の理論的計算

最も一般的なアプローチは、p 型および n 型領域のドーピング濃度を使用して関与します。 式は次のとおりです。

[]Vbi[]]] = (KT/q) * ln(]a * N[d[[]]]) / n[i 2[FLT][FLT]] [FLT]]

どこ:

  • Vbi[]=内蔵潜在的
  • k = ボルツマン定数
  • [T] =ケルビンの温度
  • q]= 小学生
  • Na[] = 受容体ドーピング濃度
  • N]d[=ドナードーピング濃度
  • [ni[] = 侵入キャリア濃度

実験測定法

一つの実用的な方法は、枯渇幅と内蔵電場を測定することを含みます。 テクニックには、静電容量(C-V)のプロファイリングと電流電圧(I-V)測定が含まれます。 これらの方法は、潜在的な推定に帝国データを提供します。

測定のための実用的なステップ

組み込みの潜在的実験を決定するために:

  • p-n ジャンクション デバイスを用意し、測定設定につなげます。
  • さまざまな電圧で枯渇キャパシタンスを得るためにC-V測定を実行します。
  • スロット1/C2]]]の対の電圧および作り付けの潜在性を推定するインターセプトを見つけて下さい。
  • あるいは、平衡条件下で開回路電圧を測定します。