ゲート電流と電圧の重要な部分は、サイリスタスイッチング

• [ しきい値の動作:] ゲート電流が] の下にある場合、I ]])、 サイリスタはトリガーされません。 上記の電流は、信頼性の高いターンオンを保証します。
• パルスとDC:[ 高出力または高速アプリケーションの場合、短時間高電流パルス(例、2〜10回]]]I_]GT[])が優先されます。 ゲート電力の放散を減らし、より高速ターンオンを提供します。
• 温度の影響: ]I_GT[は、接合温度を増加させることで減少します。 寒冷条件のために設計されたゲートドライブは、上昇した温度、危険性損傷でゲートをオーバードライブする可能性があります。
• Gate-cathode抵抗:[ ゲートとカソードの間のビルトインまたは外部抵抗器(例えば、100 Ω〜1 kΩ)は、dv / dt免疫を改善し、漏れ電流から偽のトリガーを防ぐ。

最大ゲート電流評価(]])を超過するI_]GM])は、複数のマイクロ秒がゲートの接合を燃焼させることができます。 適切に設計されたゲートドライバーは、ピーク電流とパルス幅を合わせます。

ゲート電圧(]V_]]]GT)])

[] ゲートトリガー電圧 () V_GT ])は、 _GT ] を生成するために必要な最小ゲート対カトデ電圧です[FLT:] V[FLT:[FLT:] V[FLT] [V] を[FLT:] と [V] を[FLT:[FLT]] ] を[FLT] ] に、 [V[V[FLT: [[FLT:[FLT:[FLT:[F] ] を[FLT:[F] ] を[F] ] ] を[FLT] ] を[FLT:[[[[FLT:[F] を[V[V[V[FLT] ] ] ] ] ] を[FLT] ]

• パルス上昇時間:[]]高速上昇ゲート電圧(短い上昇時間)は、ターンオン遅延を削減し、陰極領域に均等に電流を分散させ、ディ/ドット機能を改善します。
• 逆ゲート電圧:]] 一部の設計では、オフ状態の小さな負電圧(例えば、-5 V)をdv / dt免疫を改善し、ターンオフ時間を減らすために適用します。
• [温度係数:[] []V_GTは、負の温度係数(約2 mV/°C)を持っています。高温では、より少ない電圧が必要です。そのため、ゲートドライブマージンは最悪の冷条件のために考慮する必要があります。

ゲートトリガー方式

ゲート電流を適用する方法は、回路の複雑性、分離の要件、およびノイズの免疫に影響を及ぼします。

DCゲートのトリガ

ゲートに連続したDC電流が適用されます。ゲート回路の連続的な電力の消滅による単純で、無駄に。低電力かテスト回路でだけ使用される。

脈拍のトリガ

短時間、高振度パルス(例えば、10μs〜100μs幅、1 Aピーク)が採用されています。 パルストランスまたはオプトカプラーは、先駆者の陰極が地面の潜在的ではないときに不可欠であるガルバニック絶縁を提供します。 パルス列車トリガー(半周期あたりの複数のパルス)は、誘導荷重下でラッチアップを維持するために相制御整流器で一般的です。

AC(ゼロ交差)トリガー

抵抗負荷調光器とヒーターでは、ゲートはACラインのゼロ交差で誘発され、電磁干渉(EMI)を低減します。ゲート信号は、線の電圧に正確に時間をかけてください。

スイッチング性能への影響

ゲートの流れおよび電圧は直接主転換の変数に影響を与えます:

• [] ターンオン時間 (t_{]]]) の} ]]]: 遅延時間([[t[[_]]]] ]]]) と上昇時間(t[FLT[FLT:[FLT:]:[FLT:[FLT]]]:[FLT:[FLT]]]:[FLT:[FLT:[FLT:[:[FLT]]]]]]:[[[[FLT:[[FLT:[FLT:[FLT:[[[[FLT]]]]]]]]]]]]]]]]:[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[[FLT:[[[[FLT]]]]]]]]]]]]]]
• []ターンオフ時間(t_]])q]]]]]:は、ターンオン後のゲートドライブに直接影響しませんが、逆ゲートバイアスは、一部のデバイスで少数のキャリアのストレージ時間を削減するのに役立ちます。
• [dv/dt 免疫:[]陽極対カトデ電圧の上昇率が高いと、偽のトリガーを引き起こす可能性があります。 低インピーダンスゲートドライブ(例えば、抵抗器を介してショートゲート)は免疫力を向上させます。
• di/dt 機能:]] ターンオン時の陽極電流の上昇率は制限されなければならない。 ゲートパルスシェーピング(高速上昇時間)は、電流が集中する前に、導電がシリコンウェーハ全体に均一に広がることを確実にし、局所ホットスポットを防止します。