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コンテキストにおける電力密度の理解
電力密度- 立方インチ(W/in3)または立方センチメートル(W/cm3)あたりのワット単位で測定される、電力供給がユニットの容積ごとに提供できる量を量ります。 コンパクトな電源ユニット(PSU)では、高電力密度は、エンジニアがより小さなフットプリントにより多くのワット数を収めることができることを意味します。これは、ラップトップ、医療機器、通信機器、および産業オートメーションなどの近代的な電子機器に不可欠です。 次世代の半導体エネルギーを同時に使用するために、電力量が50以上の電力を増加させるには、このような制約が必要です。
コア設計戦略 高電力密度
1. 高頻度操作
電力コンバーターの切換え周波数を上げると、磁性部品(トランスフォーマー、インダクタ)とコンデンサの物理的サイズが低下します。 現代の窒化物(GaN)と炭化ケイ素(SiC)フィールド効果トランジスタ(FET)は、従来のシリコンMOSFETよりも低損失でMHz範囲周波数で切り替えることができます。 例えば、1つのMHz設計は、100kHzの摩擦係数でインダクタコアの容積を縮小して、低負荷の調整を防止し、同時に、重要な設計要件を低減し、重要な設計を低減します。
2. 高度の磁気および平面の変圧器
磁気部品は、しばしばPSUの容積を支配します。エッチングされたPCBの巻上げを用いる平面の変圧器を使用して高さを減らし、熱カップリングを改善します。高機能フェライト材料(例えば3F4かN87)は、より少ない回転およびより低い中心の損失を可能にします。非常にコンパクトな設計のために、統合された磁気は、インダクタと変圧器を単一の構造に結合し、スペースを節約し、相互接続を削減します。研究者は、100 W / 3センチメートル以上の多層構造と交流計画を組み合わせて、磁気構造を間接する。
平面トランス設計の詳細については、平面磁気]を参照してください。
3. ワイドバンダギャップ半導体
GaNおよびSiC装置はより速く転換し、よりケイ素より高い電圧を、より小さい受動態およびより簡単なトポロジーを可能にする。GaN FETsは、低いゲート充満およびゼロ逆の回復と、スヌーバーおよび脱熱器のサイズを減らします。SiC MOSFETsはサーバーPSUおよび電気車の充電器のような高圧(>600 V)の適用で、より小さい変圧器および減らされた冷却を可能にする。トレードオフは費用ですが、かなりの容積はACFETCの転換の転換を節約するために、ACFETCの大きい比率(>600 V)をです。
4. 効率的な熱管理
熱抽出は、電力密度のためのボトルネックです。 1 cm3 ボリュームで 100 w の損失を生成する PSU は、従来の空冷よりも 100 W/cm2 の熱フラックス密度を必要とする。 戦略は次のとおりです。
- ]熱管および蒸気チャンバー[]]]は、ホットスポットから外部フィンに熱を拡散する。
- 直流冷冷]は、データセンターなどの高出力密度アプリケーション用のマイクロチャネル冷板です。
- [] 温度伝導性エポキシで熱伝導性エポキシで熱を熱伝導性に伝導性を発揮します。
- ]銅コインまたはアルミニウムコアレイヤーを使用してPCB内の埋め込みヒートシンク[。
熱シミュレーション(CFD)と反復型は、バランスサイズと温度上昇に不可欠です。 一般的なメトリックは、接合から周囲(RθJA)への熱抵抗で、高密度に最小限にする必要があります。
5. 適切なレイアウトの多層 PCB
コンパクトPSUsは、ほぼ常にマルチレイヤーPCB(4〜12層)を使用して、電力の痕跡、地上平面、および信号層をスタックします。これにより、ループインダクタンスが低下し、埋め込まれた受動(埋込コンデンサ、抵抗器)を可能にします。重要なレイアウト技術は次のとおりです。
- 専用の銅面で、入力から出力までの高電流経路を最小限に抑えます。
- スイッチングFETにできるだけ近いデカップリングコンデンサを配置します。
- 高周波数ゲート信号の制御されたインピーダンスの跡を使用して。
- ノイズや感度の高いノードの重なりを防止し、電磁妨害(EMI)を削減します。
設計のレイアウトは、PCBフットプリントを最大30%削減し、効率性を1~2%向上させることができます。
6. 統合およびシステム・イン・パッケージ(SiP)
コントローラー、FET、磁気を1つのパッケージ(パワーモジュール)に統合することで、ボリュームと相互接続損失が大幅に削減されます。 ヴィクア、インフィノン、テキサスインスツルメンツなどの企業は、コンポーネントを垂直に積み重ね、ハイブリッド基材(LTCC、DBC)を使用して、>400 W /イン3を達成する「バスコンバータ」モジュールを提供します。 カスタム設計では、PCB内のベアダイまたはパッシブを埋め込む(埋め込みコンポーネントパッケージ)は、さらにPSUを縮小することができます。
パワーモジュール設計の概要については、電源モジュール設計に関する「[]]」を参照してください。
高圧用部品選定
コンデンサー: サイズ対。 Rippleの流れ
多層セラミックコンデンサ(MLCC)は、低電圧レール(例えば、0402パッケージの1μF)の高容量密度を提供します。しかし、その電圧降下および温度係数(X5R、X7R)を考慮する必要があります。電解コンデンサ、ポリマーアルミニウムまたはタンタルポリマータイプは、標準電解物よりも小さい缶でより高いリップ電流処理を提供します。高周波入力フィルタの場合、フィルム(エッセンシャル)およびエッセンシャル特性(エッセンシャル)は、エッセンシャル特性(エッセンシャル)およびエッセンシャル特性(エッセンシャル)に使用されます。
誘導器および変圧器
高飽和フラックス密度(例えば、フェシ、フェニ、または無形態/ナノ結晶)のコア材料は、より小さな断面積を可能にします。 Litzワイヤまたはホイル巻線は、高周波AC損失を削減します。 ウルトラコンパク設計の場合、結合されたインダクタ(例えば、多相コンバーターの場合)は、コアを共有し、部品数を減らすことができます。
半導体:シリコンを超えて
述べたように、GaN と SiC が優先されます。コスト制約が速いボディダイオードや OptimOS デバイスで CoolMOS を使うと、古い平面 MOSFET と比較して密度が向上します。低電圧(<100 V) POL コンバーターでは、アクティブ クランプまたは GaN の統合された電力段階は、いくつかのベンダーから利用できます。
高密度化のための高度なトポロジー
トポロジー選択は、コンポーネントサイズに直接影響します。 分離されたAC-DC電源では、LLC共鳴剤コンバータは、ゼロ電圧切換(ZVS)と小さな磁気による中電電力(200 W〜2 kW)で人気があります。 より高い密度のために、ブリッジレストーテムポールPFCとLLCの組み合わせは、>97%効率を達成することができます。 非絶縁DCでは、インターリードされた多相バックコンバータは、トランスのキャンセルと応答を高速にすることによって、インダクタサイズを削減します。
もう一つの有望なトポロジーは、より小さいコンデンサーとスイッチを使用して、スイッチングロスを増加させることなく効果的な周波数を増加させる、飛翔コンデンサーマルチレベルコンバータです。 包括的な比較については、トポロジー選択の[の[]]パワーエレクトロニクスの記事を参照してください。
実践的な課題とトレードオフ
高出力密度は、コスト、EMI、信頼性、製造不能性などの他の目的と競合することが多いです。例えば、周波数をプッシュすると、磁気サイズが低下するが、皮膚効果の損失とEMIを放射する。会議では、排出量(CISPR 22)が追加のフィルタリングを必要とする場合があります。熱サイクルとホットスポットは、コンデンサやは、時間の経過とともに分解し、信頼性試験が必須です。
密な設計のレイアウトの寄生虫のインダクタンスは、電圧オーバーシュートとリングを引き起こし、無駄な電力を必要とするスヌーバーを要求することができます。 エンジニアは、多くの場合、シミュレーション(磁気、熱のためのFEA、電気のためのSPICE)と実用的な制約で性能のバランスを取る設計を収束するために、プロトタイプ測定を反復する。
コンパクトPSUの今後の動向
電力密度のプッシュは、3Dパッケージング(スタックダイ)、GaN-on-Si統合、および高度なゲートドライバなどのトレンドで継続します。 垂直統合を使用して、スルーシリコンビア(TSV)でスタックするなどのダイを使用して、相互接続損失とパラシティックインダクタンスを削減することができます。 単一の磁気コアを共有するマルチレールコンバータは、ポイントオブロードアプリケーションのために新興しています。 また、リアルタイムの最適化によるデジタル制御は、動的に周波数またはフェーズを調整して、変更を削減することができます。 負荷を低減することなく、光を低減します。
次世代の電力密度の実証を調べるには、]]の電子設計のロードマップを1000 W/in3[を参照してください。
コンテンツ
コンパクトな電源ユニットで高い電力密度を達成することは、トポロジー、半導体、磁気材料、熱管理戦略の慎重な選択を要求する多分野工学的チャレンジです。 ワイドバンドデバイス、平面磁気、高周波操作、インテリジェントなレイアウトを活用することで、今日は実用的な製品で100 W / cm3を超える製品を届けることができます。 重要なのは、効率、コスト、EMI、および信頼性の取引オフのバランスをとり、熱放散の限界を押しながら、することです。 半導体およびPSUは、さらに、より小型化し、より小型化し、より小型化し、より小型化します。