ダイオードの前方電圧低下(V]]F)を理解することは、信頼性の高い電子回路の設計に不可欠です。 シリコンおよびショットキーダイオードは、さまざまなアプリケーションで性能に影響を与える異なる電圧特性を持っています。 この記事では、これらのダイオードの前方電圧低下を計算するための実用的なアプローチを提供します。

シリコンダイオードの電圧低下をフォワード

シリコンダイオードは、通常、導電時に0.7ボルト前後の電圧低下を持っています。この値は、ダイオードと温度条件を通過した電流によって変化します。V[]Fを推定するために、単純な近似が使用できる:

[]VF[[]]]] ≈0.7 V +(0.02 V×I)

ミリアンペアの転送電流です。 ほとんどの実用的な目的のために、正確な計算が必要とされない限り、標準的な値の接尾として0.7 Vを使用して。

ショットキーダイオードの電圧低下をフォワード

ショットキーダイオードは、通常0.2〜0.3ボルトの間で、より低い前方電圧を持っています。 それらの電圧低下は、シリコンダイオードと比較して温度と電流の変動の影響を受けにくい。 近似計算は、使用することができる:

[]VF[[]]]] ≈0.2 V +(0.01 V×I)[

繰り返しますが、私はミリアンペアでフォワード電流です。 迅速な推定のために、0.3 Vは保守的な値を提供します。

実用的な計算のヒント

転送電圧低下を計算するときは、回路の実際の電流を考慮してください。 近似式を素早く見積もりますが、詳細な設計については、特定の電流と温度で、VFのダイオードのデータシートを参照してください。

温度は、一般的にシリコンダイオードの転送電圧を上げます。ただし、Schotkyダイオードは影響を受けにくいです。高温環境に応じて計算を調整します。