パワー半導体デバイスのストレステストは、極端な条件下で信頼性と性能を評価することが不可欠です。分析方法により、デバイスの動作を予測し、潜在的な故障モードを特定するための系統的なアプローチが提供されます。この記事では、ストレステストパワー半導体で使用される一般的な分析技術について説明します。

サーマルストレス分析

熱的ストレス分析は、温度変化がデバイスの完全性にどのように影響するかを評価します。 上昇温度は、老化を加速し、材料の劣化を引き起こす可能性があります。 分析モデルは熱分布をシミュレートし、故障につながる可能性があるホットスポットを特定します。

電気応力試験

電気応力試験は、高電圧や電流を応用して、デバイスの耐久性を評価することを含みます。 分析方法は、電圧の故障、電流漏れ、その他の電気的故障メカニズムを予測します。 これらのモデルは、運用上のストレスに耐えるデバイスの設計を支援します。

機械的ストレス評価

機械的ストレス分析は、振動、衝撃、熱膨張などの物理的力の影響を調べます。分析技術は、機械的故障の防止に導き、デバイス構造内のストレス分布を計算します。

一般的な分析技術

  • 有限要素解析(FEA)
  • 熱抵抗の模倣
  • 電気分野シミュレーション
  • ストレス緊張の計算