温度変化は、ひずみゲージトランスデューサの精度に著しく影響する可能性があります。 効果的な温度補償技術を導入することは、さまざまな環境条件にわたって正確な測定を確実にするために不可欠です。 この記事では、一般的な設計戦略を議論し、株ゲージトランスデューサで使用される温度補償方法の例を提供します。

緊張ゲージの温度効果を理解する

ひずみゲージは温度変化に敏感で、読書の漂流を引き起こす可能性があります。 これらの効果は、材料特性、抵抗変化、熱膨張の変化によるものです。 補償なし、これらの要因は、特に変動温度の環境で測定エラーにつながることができます。

温度補償のための設計戦略

いくつかの戦略は、株ゲージトランスデューサの温度効果を緩和するために用いられています。

  • ダミーゲージ:]]] ひずみに従わない追加のゲージを使用して、同じ温度変化が温度誘発抵抗の変動を補正するのに役立ちます。
  • 材料選択:]]低温係数の材料を選ぶと、温度変動に対する感度が低下します。
  • ブリッジ回路設計:] 温調ゲージ付き小麦石橋を実装することで、温度による抵抗変化がバランスよくなります。
  • 電子補償:]]]温度センサーと信号処理アルゴリズムを組み込むことで、温度データに基づいて読書を調整します。

温度補償技術例

一般的な例は、小麦石橋構成のダミーゲージの使用です。ダミーゲージは同様の環境に置かれますが、機械的負担には適用されません。温度による抵抗変化は、活性ゲージの効果を相殺するために使用されます。電子補償は、トランスデューサと温度センサーを統合し、リアルタイムで補正アルゴリズムを適用し、可変条件の精度を改善することを含みます。