低ノイズアンプ(LNA)は、通信システムにおいて重要なコンポーネントであり、ノイズを最小限に抑え、信号品質を最大化するために慎重に設計する必要があります。 トランスイスター性能の最適化は、高性能なLNAを達成するための重要な側面です。 この記事では、トランジスタで低ノイズアンプの設計のための実用的なヒントを提供します。

正しいトランジスタを選ぶ

適切なトランジスタタイプを選択するのは基本的です。通常、ヘテロ接合部のバイポーラトランジスタ(HBT)と金属酸化物半導体分野に影響するトランジスタ(MOSFET)は、LNAsで使用されます。 HBTは一般的に、MOSFETsはより良い入力インピーダンスマッチングを提供しながら、高い周波数で低騒音の数値を提供します。

低雑音のためのバイアス

適切なバイアスは、トランジスタが低雑音のために最適な領域で動作することを確認します。安定したバイアスポイントを維持することで、騒音を増加させるような変動が軽減されます。低熱騒音の貢献でバイアスネットワークを使用して、温度補償技術を検討してください。

インピーダンスマッチング

トランスイスタの入力と出力インピーダンスをソースに合わせ、負荷を最小限にし、電力転送を最大にします。 高品質のインダクタとコンデンサを備えたマッチングネットワークを使用します。 正確なインピーダンスマッチングにより、ノイズの数値を減らし、全体的なアンプ性能を向上させます。

レイアウトとパラシティック

注意深いPCBレイアウトは、ノイズ性能を劣化させる可能性がある、寄生虫誘導とキャパシタンスを減らします。トランジスタをマッチングネットワークに閉じ、リード長さを最小限に抑えます。地上面と適切なシールドを使用して、電磁干渉を低減します。