トランジスタの動作領域を理解することは、電子回路の設計とトラブルシューティングに不可欠です。トランジスタは、主に3つの地域で動作します:カットオフ、アクティブ、および飽和。これらの領域を特定することは、デバイス内の電圧と電流条件を分析することを含みます。

トランジスタ地域の理論的根拠

3つの主要な領域は、トランジスタのターミナルで電圧によって定義されます。 双極ジャンクショントランジスタ(BJT)では、ベースエミッタとベースコレクタ電圧は、動作状態を決定します。 ベースエミッタジャンクションが偏向を転送されていない場合、トランジスタはカットオフです。 両方のジャンクションが偏向されると、それは飽和状態にあります。 唯一のエミッタジャンクションが偏波して、トランスイブは、トランスバイザード領域が活性化され、トランジスタが活性化されます。

実用的な測定の技術

電圧と電流をマルチメーターで測定すると、動作領域が決定されます。主な測定値は次のとおりです。

  • ベースエミッタ電圧(V BE)
  • コレクタ・エミッタ電圧(V CE)
  • 基礎流れ(I B)
  • コレクタ電流(I C)

活性領域のシリコンBJTの典型的な値は、V BEの0.6〜0.7VとV CEの周りのV BEです。飽和時は、V BEの下のV CEが低下し、多くの場合0.2V前後です。 カットオフでは、V BEとV CEは、過度な電流でゼロに近いです。

運営地域を決定

測定された電圧を既知のしきい値に比較することで、動作領域を識別することができます。例えば、V BE が約 0.7V で V CE が高ければ、トランジスタは活性領域にあります。V CE が低ければ電流が高ければ、飽和状態です。電流が最小限で電圧がゼロに近い場合は、デバイスは切り込みになります。