トランジスタの飽和とカトオフ地域のためのステップ単位計算

トランジスタの動作領域は、電子回路の設計と分析のために不可欠です。段階的な計算を実行する方法は、トランジスタが飽和、カットオフ、またはアクティブな領域にあるかどうかを決定するのに役立ちます。この記事では、これらの計算への簡単なアプローチを提供します。

トランジスタ地域を理解する

両極ジャンクショントランジスタ(BJT)は、ターミナルに適用される電圧に応じて異なる領域で動作します。 2つの主要な領域は、カットオフと飽和です。カットオフでは、トランジスタがオフになり、電流が流れません。飽和時は、トランジスタが完全にオンになり、最大電流の流れを可能にします。

動作領域を決定するには、次の手順に従ってください。

トランスイスタに接続された供給電圧と抵抗を識別します。
ベース抵抗器や入力電圧に基づいてOhmの法則を用いて、ベース電流(I_{)を計算します。}
トランジスタの電流ゲイン(β)を用いて、コレクタ電流(I_{]]C[_]]C]=β×I[_]]B)を決定します。}
キロオフの電圧法を使用して、コレクタエミッタ電圧(V[_]]]CE[]])を計算します。 V[_CC - I[_]]C[]]×R[_{]] - V[}] - [[[FLT:]CE] - _{] - _{- [[FLT] - [[FLT:] - _{- [[FLT:[[[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT] - [[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT:] - [[FLT:] -}}}
飽和電圧(V[_{]]])と、温度電圧(V_]]CE(sat))と、ベースエミッタ電圧(V_]]]]]BE[]])を比較し、領域を特定する閾値電圧。}

V[_CE]がV_CE(sat)(通常0.2V付近)に、トランジスタが飽和状態にある場合。 V[_]BE]は、閾値の電圧(シリコンBJTの約0.7V)の下にある、トランジスタは回路の切断に役立ちます。これらの特性は、回路の切断に役立ちます。