電子穴の回転は、電気的および光学的特性に影響を与える半導体の基本的なプロセスです。ナノ構造の半導体では、量子の結束および表面効果によるバルク材料とかなり異なるプロセスです。この回帰およびモデリングは、効率的な電子および光電子デバイスの設計に不可欠です。

電子ホールの交換の基礎

導電バンドの電子がエネルギーを失い、弁当バンドの穴に落ちるときに再結合が起こります。このプロセスは、光(陰性回帰)または熱(非陰性回帰)の形でエネルギーを解放します。 逆流率は、太陽電池や発光ダイオードなどのデバイス性能に影響を及ぼします。

ナノ構造の効果

ナノストラクチャーは、材料内の電子状態を変更します。量子の調製は、エネルギーギャップを増加させ、逆流経路を修正することができます。表面の状態と欠陥は、多くの場合、非放射性プロセスを強化することができる回帰センターとして機能するより顕著になります。これらの効果は、モデリング努力で考慮する必要があります。

モデリングアプローチ

ナノ構造半導体における電子穴の回帰モデル化に用いられるいくつかの方法:

  • レート式:[]] は、キャリア密度に基づいてプロセスを逆行速度に簡素化します。
  • 量子機械モデル:[]] シェーダーと密度の関数理論を使用して、電子状態を分析します。
  • カルロシミュレーション:[ キャリアの動的および相互作用を時間通りに追跡します。
  • ]表面と欠陥モデリング:[表面状態と欠陥レベルを組み込む 逆転に影響します。