フィールド効果トランジスタ(FET)は、増幅と切換えに使用される電子回路の重要なコンポーネントです。 FETのゲインを計算すると、そのパラメータを理解し、特定の式を適用することが含まれます。 この記事では、FETのゲインを正確に決定するためのステップバイステップ方法論を提供します。

FET パラメータの理解

ゲインを計算する前に、トランスコンダクタンス(g]])と出力導電(g]])ds[)を含むFETのキーパラメータを識別することが重要である。 これらのパラメータは、デバイスの増幅能力に影響を及ぼす。

ステップバイステップ計算プロセス

FETの小型信号電圧ゲイン(A]v)の基本的な式は次のとおりです。

Av[]] = -gm] R[ロード[

R]loadがFETに接続された負荷抵抗です。 続行するには:

  • デバイスデータシートや測定からトランスダクタンス(g]]m)を決定します。
  • 回路内の負荷抵抗(R]]]]load)を識別します。
  • 上記式でゲインを計算します。

その他の検討

より正確な結果を得るために、出力の伝導(g]ds)と排水液の電圧の効果を考慮してください。 これらの要因は、特に高周波アプリケーションで、利益の計算をわずかに変更することができます。