MOSFET の偏見技術は、電子回路のトランジスタの適切な操作を保証するために不可欠です。彼らは、デバイスの性能と安定性に影響を与える、目的の動作ポイント、または Q ポイントを維持するのに役立ちます。これらの技術を理解することで、エンジニアは信頼性と効率的な電子システムの設計することができます。

基礎バイアス法

MOSFETの最も一般的な偏見方法には、固定バイアス、セルフバイアス、および電圧ディバイサが含まれます。 各方法は、安定性と複雑性の面で異なる利点を提供します。

固定バイアステクニック

固定偏差法は、抵抗器を介して一定のゲート電圧を適用することを含みます。 これは、温度とデバイスパラメータの変動に対して単純で少ない安定です。 適切な偏見により、MOSFETは増幅目的のために飽和領域で動作することを確認します。

自己バイアステクニック

自己偏差は、ソースと地面の間で接続された抵抗器を使用して、負のフィードバックループを作成します。この方法は、温度とデバイスパラメータの変化に応じて偏差ポイントを自動的に調整することによって、安定性を向上させます。

電圧ディバイダーのバイアス

電圧ディバイダーのバイアスは供給電圧に接続される2つの抵抗器を、安定したゲートの電圧を置く採用します。この技術は安定性が高く、アンプ回路で広く利用されています。

  • 安定した操作を保障して下さい
  • 温度変化に対する感度を低減
  • 予測可能な偏見条件を提供
  • 追加のコンポーネントが必要