オン抵抗(R])ds(on))は、デバイスがオンになったときにドレインとソース間の抵抗を示すMOSFETデバイスで重要なパラメータです。 Rの正確な計算は、(on)]は、効率的な回路の設計と適切なコンポーネントの選択に役立ちます。

オン・リシススタンスについて

オン抵抗は、デバイスの物理的特性と動作条件に影響されます。MOSFETの電力損失と熱生成に影響します。R[ds(on)値を高効率なアプリケーションに望ましい。

オン抵抗を計算するステップ

Rds(on)[を計算するには、MOSFETが完全にオンにしているときに、ドレインおよびソースターミナルを渡る電圧低下を測定し、ドレイン電流で分割します。 式を使用してください。

R]ds(on)[ = V]]ds[] / ]]d[

実践的検討

MOSFET は、指定されたゲート電圧内で動作していることを確認します。 電圧と電流を安定した条件下で測定し、正確な R ds(on)] 値を取得できます。 温度も抵抗に影響します。 意図した動作温度で測定を実行します。

追加のヒント

  • 測定用精密なマルチメータやソース測定ユニットを利用します。
  • デバイスの定格ゲート電圧でテストを実行します。
  • 異なる電流で測定値を記録して、リニアリティを観察します。
  • 高電流試験中の熱影響を考慮します。