MOSFETの適切な偏見は、信頼性の高い回路動作のために不可欠です。 誤った偏見は、パフォーマンスの問題、増加した電力消費、またはデバイス損傷につながることができます。 この記事では、MOSFETの偏見の一般的な間違いを強調し、それらを避ける方法に関するガイダンスを提供します。

MOSFET Biasingの一般的な間違い

1つの頻繁なエラーは、偏差がカットオフ領域にあまりにも近い設定です。これは、MOSFETが意図的に動作するか、回路の安定性に影響を与える、予期しないカットオフを入力することができます。

別の間違いは装置を傷つけるか、または安全な作動区域の外で作動させるためにそれを引き起こすことができる過度のゲートの電圧を適用しています。過電圧はまた高められた電力損失および寿命をもたらすことができます。

偏差ネットワークの抵抗値が不正確です。高すぎたり低すぎたりすることで、不適切な偏差電流が生じる可能性があり、回路の直線性と効率性に影響します。

これらの間違いを避ける方法

偏差点が飽和領域内で適切に設定されていることを確認し、温度とデバイスパラメータの変動に十分なマージンを提供します。適切なゲート電圧を決定するためにデータシートの仕様を使用してください。

ゲートソース電圧(V[]])を常に確認し、それらを超えることを避ける。必要に応じて、抵抗器や電圧クランプなどの保護コンポーネントを組み込む。

計算されたバイアス電流と電圧に基づいてレジスタ値を選択します。 シミュレーションツールを使用して、実装前にバイアススキームを検証します。

インフォメーション

  • 偏光点を飽和領域内で設定します。
  • 電圧定格が最大を超えたりしないでください。
  • 適切な抵抗値を使用してネットワークをバイアスします。
  • シミュレーションによる偏見スキームを検証します。