MOSFETの体力効果は、デバイスのしきい値電圧と全体的な性能に影響を与える重要な現象です。 体(または基質)とソースターミナル間の電圧差がチャネルの形成に影響を及ぼすときに発生します。 この効果を理解することは、信頼性と効率的な電子回路の設計に不可欠です。

体効果とは?

体効果は、体とソースの電圧差によるMOSFETのしきい値電圧の変化を指します。体電圧がソースよりも高くなったら、しきい値の電圧が上昇し、デバイスがオンにするのは困難になります。この効果は、ソースに接続されていない体端末でより顕著です。

実用的なインプリケーション

体効果は、特にアナログおよび混合信号のアプリケーションで回路動作に影響を及ぼします。トランジスタの切換え特性の変動につながり、偏光条件に影響を及ぼす可能性があります。異なる動作条件を横断する一貫性のある性能を確保するために、設計者はこの効果を考慮する必要があります。

体効果の計算

体効果による閾値電圧の変化は、式によって近似することができます。

[]ΔV]th[]]] = γ(√|VSB + 2φ]F[[[[]]]]] - []]F[[FLT:]]]]] ] []]

どこ:

  • γは体効果係数です
  • [V]SB[[]は、原発から体圧です
  • φF[はフェルミの潜在的能力です

この計算は、より正確な回路設計で、体電圧の変化による閾値の電圧シフトの予測に役立ちます。