利益および入出力抵抗の計算バイポーラのジャンクショントランジスタ (bjts)

双極ジャンクショントランジスタ(BJT)におけるゲインと入出力抵抗を計算する方法を理解することは、電子回路の設計と分析に不可欠です。これらのパラメータは、アンプやその他のBJTベースのデバイスの性能と安定性に影響を及ぼします。

バイポーラのジャンクションのトランジスタで得て下さい

現行のゲインは、β(β)と表記されることが多い、コレクター電流(I_{])の比率で、ベース電流(I_{])に分類される。トランジスタが入力信号を増幅させるのは、その割合である。}}

電圧増加は回路構成および負荷抵抗に依存します。一般的なエミッタ構成では、電圧増加(A[_]v])は、次のように推定することができます。

A_v]] -g_m] R_C

g_m]は、トランスコダクタンスとR[_]C]は、コレクタ負荷抵抗です。

BJTの入力抵抗(r_]]in)は、ベース端子に見ている抵抗です。主にベースエミッタ接合とトランジスタの電流増加によって決定されます。

小さな信号解析では、r_]in]は、次のように推定できます。

r[_in]] r_{] π}] = β / g_m

出力抵抗(r_{]])は、コレクタターミナルに見ている抵抗です。電圧調整と回路の安定性に影響します。}

小さな信号モデルでは、 r_]]out] は、トランスイストのイントラジック出力抵抗r_o と並行してコレクター抵抗r_o]によって近似されることが多い。