半導体接合における組み込みの可能性を理解することは、電子機器の設計と分析に不可欠です。この記事では、この重要なパラメータを正確に決定するために実用的な方法を探ります。

方法1:静電容量(C-V)測定

C-V測定は、ダイオードの枯渇領域を分析することを含みます。逆バイアスを適用し、静電容量を測定することにより、内蔵の潜在的な関係を使用して計算することができます。

[V bi = (kT/q) * ln(N A * N D / n i^2) + V R

V bi が組み込まれたポテンシャルである場合、N A と N D はドーピング濃度であり、n i は、侵入型キャリアの集中である V R は、適用された逆バイアスであり、他のシンボルは通常の意味を持つ。

方法2:オープン回路の電圧方法

この方法は、照明下でダイオードのオープン回路電圧(V OC)を測定します。 V OCは、式によって組み込まれた潜在能力に関連しています。

[]V OC 帯域幅V bi - (kT/q) * ln(I L / I 0)[[[FLT≈1]]

ここでは、I L はフォトカレントで、I 0 はサテレーション電流です。V OC を測定し、現在の値を知ることで、V bi は推定できます。

方法3:電気器具および光照明

光学方式は、接合部の排出スペクトルを分析する。ピークエミッション波長はエネルギーギャップに関連し、内蔵の潜在的インタプリティブを間接的に判断する事ができます。

これらは、電気測定が困難な材料に有用です。

インフォメーション

  • 静電容量電圧測定
  • 開回路電圧方式
  • 光学排出解析