半導体材料の本質的および本質的特性を理解することは、電子機器の用途に不可欠です。これらの特性は、半導体が電気を行なう方法に影響を及ぼし、外部刺激に反応することを意味します。この記事では、これらの特性を正確に判断する方法について説明します。

半導体の本質的な特性

基幹特性は、純半導体材料に固有のものです。バンドギャップエネルギー、電子、ホール濃度、電気伝導などのパラメータも含み、様々な実験技術で測定することができます。

侵入性特性を決定する方法

侵入特性を決定するために、次のメソッドは一般的に使用されます。

  • 光学吸収分光:[は、異なる波長で光の吸収を分析することにより、バンドギャップエネルギーを測定します。
  • 衝撃測定:[ 磁気フィールドを適用して、その結果電圧を測定することにより、キャリアの濃度とモビリティを決定します。
  • [温度補償導電率:[]]]は、電気伝導率が温度変化による侵入動作を強調する。

半導体の過激な特性

過敏性特性は、半導体に添加された不純物やドパントの影響を受けます。これらの特性には、ドパント濃度、導電性(n型またはp型)、電気的動作の変化が含まれます。

過激なプロパティを決定する方法

以下のような技術で、元管特性を分析します。

  • [二次イオン質量分析法(SIMS):[]材料内のドーパント濃度と分布を測定します。
  • 電気伝導率測定:[] ドーピングレベルによる導電性の変化を評価します。
  • キャパシタンス電圧(C-V) プロファイリング:[]は、ドーパントプロファイルと濃度勾配を決定します。