双極接合トランジスタ(BJT)の動作領域を理解することは、電子回路の設計と分析のために不可欠です。 切断および飽和領域は、BJTが回路で動作する方法を定義する2つの基本的な状態です。

カットオフ地域を特定する

ベースエミッタ接合が偏向を先取りされていないときに切り離領域が発生します。この状態では、トランジスタは基本的にオフであり、コレクタからエミッタまでの流れはありません。この領域を特定するには、ベースエミッタ電圧(V BE)を確認してください。V BEがシリコンBJTsの約0.7V未満の場合、トランジスタはカットオフになります。

カットオフ領域では、ベース電流(I B)とコレクター電流(I C)がほぼゼロです。トランジスタは、この状態のオープンスイッチとして機能します。

飽和地域を識別する

地下エミッタとベースコレクタの接合が偏向するときに、飽和領域が起こります。この状態では、トランジスタはコレクターからエミッタまで最大電流を流すことができます。BJTが飽和状態にあるかどうかを判断するには、コレクターエミッタ電圧(V CE)を確認してください。 V CEが0.2Vに近い場合は、トランジスタは飽和します。

また、ベース電流(I B)が、トランスイスタを飽和させるのに十分な高さで、通常、コレクター電流(I C)の約1〜10分の1であることを確認してください。 飽和時は、トランジスタはクローズドスイッチのように振る舞い、最大電流フローを許容します。

主な指標のまとめ

  • Cutoff:] V BE < 0.7V、I B ≈ 0、I C ≈ 0
  • ]飽和:] V CE ≈ 0.2V–0.3V、高I B、最大I C