回路に適したMOSFETを選択すると、Rds(on)と呼ばれる、抵抗を理解することが含まれます。 このパラメータは、電力効率と熱生成に影響を与えます。 正確な計算は、エネルギー損失を最小限に抑えながら、性能要件を満たす装置を選択するのに役立ちます。

理解する Rds (on)

ドロー・ロード(on)は、MOSFETが完全にオンになったときにドレインとソース・ターミナル間の抵抗です。 ドロー・ロード(on)値は、電力の損失が少ない優れた導電性を示します。 このパラメータは、データシートで指定され、温度とゲート電圧が異なります。

回路設計におけるRd(on)の計算

回路内の効果的な Rds(on) を計算するには、指定されたゲート電圧でメーカーが提供する最大 Rds(on) 値を考慮する。温度効果と動作条件を調整します。式は簡単です。

指定された条件で有効な Rds(on) = Rds(on)

Factors Influencing Rds(on) 選択

  • ゲート電圧:]] ゲートドライブ電圧が十分にMOSFETをオンにするのに十分であることを確認します。
  • 温度:] 温度で増加するので、熱管理を検討してください。
  • 現在の要件:]] 最適な負荷電流を効率的に処理するのに十分な低域の MOSFET を選択します。
  • []パワーディスシプテーション:[] P = I2×Rd(on)を使用して電力損失を計算し、熱限界が上回らないことを確認します。