逆回復時間と高速アプリケーションへの影響の計算

逆回復時間は高速電子回路で使用されるダイオードの性能の主変数です。それはダイオードが高周波適用で重要な非伝導の状態に行ない、に転換できるいかにすぐに影響を与えます。

逆回復時間を理解する

逆回復時間は、ダイオードがそれを渡る電圧の後で行わないようにするべき期間です。この期間の間に、ダイオードの保存された充満は十分に逆の方向の電圧を妨げることができる前に取除かれなければなりません。

計算は、ダイオードの保存された充電とスイッチ中に電流を分析することを含みます。単純化された式は次のとおりです。

trr ≈ Qr / Ir

Qr]は、保存された充電と[]Irは、逆の回復電流です。正確な測定は、スイッチ中に一時的な動作をキャプチャするために特殊な装置が必要です。

高速回路では、長い逆回復時間は増加した転換の損失および電磁妨害機の干渉につながることができます。これは効率を減らし、信号の完全性問題を引き起こします。

設計者は性能を改善する低い逆の回復時間のダイオードを選びます。速い回復ダイオードおよびショットキーのダイオードはそのような適用の共通の選択です。