高効率な電子設計に適したMOSFETを選択するには、そのオン抵抗(Rds(on))を理解しています。このパラメータは、電力損失と熱性能に影響を与えます。 正確なDrds(on)の決定は、回路の効率と信頼性を最適化するのに役立ちます。

MOSFETのオン・リシススタンスを理解する

オン抵抗は、MOSFETが完全にオンにしたときにドレインとソースターミナル間の抵抗です。 これは、伝導損失や熱発生に影響を与える、電力切り替えアプリケーションにおける重要な要因です。 低いRds(オン)値は、通常、より高い効率をもたらします。

ロードの測定方法(オン)

測定 Rds(on)は、指定されたゲート電圧をMOSFETに完全にオンにし、既知の電流を渡す間、電圧低下を測定することに使用します。Ohmの法則を使用して抵抗が計算されます。

[Rds(on) = 電圧低下/ドレイン電流]

要因 影響する Rds (on) 値

MOSFETのRds(on)に影響する要因は、以下を含む。

  • ゲートツーソース電圧(Vgs)
  • 温度
  • 製造のバリエーション
  • デバイスエイジング

高効率な用途に正確で信頼性の高いRd(on)測定を保証するために、試験中にこれらの要因を考慮することが重要です。