双極ジャンクショントランジスタ(BJT)の小型信号パラメータを理解することは、高周波回路の設計に不可欠です。これらのパラメータは、特に、パラシティック効果が重要になる高周波で、小さな入力信号を被ったときにトランジスタの動作を分析するのに役立ちます。

BJTのキーの小さい信号変数

主流の小信号パラメータには、トランスコダクタンス(gm)、入力抵抗(πr)、出力抵抗(ro)、電流ゲイン(β)が含まれます。これらのパラメータは、トランジスタのDC特性から派生し、AC解析における動作をモデル化するために使用されます。

トランスフォーダンスの計算(gm)

トランスコンダクタンス(gm)は、BJTが入力信号を増幅する方法を示します。 動作点でコレクター電流(IC)を使用して計算されます。

gm = IC / VT[

室温でVTが熱電圧である場合、約25mV。

入力抵抗の計算(rπ)

入力抵抗、rπ、BJT の基部に見ている入力インピーダンスを模倣します。 それは次によって与えられます:

rπ = β / gm

高頻度効果とパラシティックス

高周波では、ベースコレクタキャパシタンス(Cbc)やベースエミッタキャパシタンス(Cbe)などのパラシティックキャパシタンスがBJTの動作に著しく影響します。これらのパラシティックは、小信号モデルに含まれており、正確に性能を予測します。

これらの効果を考慮する典型的な方法は、ハイブリッドπモデルを使用して、分析中のパラシティックキャパシタンスを含みます。 このアプローチは、高周波で効率的に動作する回路の設計に役立ちます。