高周波切換時のMOSFETにおける電力損失の把握は、効率的な電子回路の設計に不可欠です。正確な計算は、過熱を防ぎ、電力デバイスの信頼性の高い動作を保証します。

MOSFETにおける電力普及の基礎

MOSFETの電力損失は、主に伝導と損失の切り替えによる発生します。 デバイスがオンステートにいるときに、オン/オフ状態間の移行中に損失を切り替えるときに、伝導損失が起こります。

伝導損失の計算

導電損失は、式を使用して推定することができます。

Pcond[]] = ]]ロード]2×R[DS(on)]

ここで Iload] は、 ロード電流と R]DS(on)[ は、MOSFETのオン抵抗です。

スイッチングロスの計算

電圧、電流、スイッチング時間に応じて損失を切り替えます。 近似式は次のとおりです。

[]P]switch[] = 0.5×VDS[×負荷]]×([[]])]+[FLT]]×[FLT[FLT:[FLT:[FLT:]]×[FLT:[FLT:[FLT:]]]×[FLT:[FLT:[FLT:]]]]×[[FLT:[FLT:[FLT:[F]]]]×[[[[FLT:[FLT:[FLT:[F]]]]]]×[[[[[FLT:[FLT:[FLT:[F]]]]]×[[[[[[[[[[[[[[FLT:[[[[FLT:[F]]]]]]]]]

VDS]は、排水源の電圧、t]のriseとtのfall[が上昇と降下時間であり、fswは、切替周波数です。

電力総処分

電力損失の合計は伝導の合計であり、損失を転換します:

Ptotal] = P]] コマンド + P スイッチ

その他の検討

装置の温度、ゲート充満およびレイアウトのような要因は電力の消滅に影響を与えることができます。適切な熱沈下および装置の選択は高周波切換えの間に熱性能を管理するために重要です。