Band 이론은 반도체에서 특히 고체에서 전기가 작동하는 방법을 설명합니다. 반도체 장비가 설계 및 제작되는 방법을 이해하는 것이 중요합니다. 이 기사는 반도체 장치의 제조에 적용되는 밴드 이론이 실제 사례를 탐구합니다.

예 1 : 실리콘 p-n 접합 다이오드

실리콘 p-n 접합 다이오드에서, 밴드 이론은 depletion 지구의 대형을 설명하는 것을 돕습니다. p 유형과 n 유형 실리콘이 결합될 때, 그들의 Fermi 수준은, 붙박이 잠재적인 장벽을 창조합니다. 이 장벽은 다이오드 가동을 위해 근본적 현재 교류를 통제합니다.

예 2 : 금속 - 옥사이드 - 반도체 분야 - Effect 트랜지스터 (MOSFETs)

MOSFETs는 인버젼 레이어의 형성을 이해하기 위해 밴드 이론을 사용합니다. 게이트에 전압을 적용하면 전도성 채널을 생성하는 실리콘 기판에 에너지 밴드를 조절합니다. 이 과정은 트랜스스터를 활성화하여 온 상태와 오프 상태 사이에 전환 할 수 있습니다.

예 3 : 광전지 셀

태양 전지에서, 밴드 이론은 태양 전지가 밴드 간격을 맞출 때 전선을 흥분하는 방법을 설명합니다. 광전지는 충분한 에너지가 있을 때, 전기 전류를 생성하는 전선 밴드에서 전기 점프. 물자 선택은 효율성 최적화하는 밴드 간격에 달려 있습니다.

제품 설명

  • 발광 다이오드 (LEDs)
  • 고전도 트랜지스터 (HEMTs)
  • Quantum dot 장치