Bandgap 엔지니어링은 재료의 발기부전과 전도성 밴드 사이의 에너지 간격을 조작하는 반도체 설계의 중요한 측면입니다. 이 과정은 엔지니어가 전자 및 광학 특성을 맞춤형으로 설계하여 트랜지스터, 태양 전지 및 LED와 같은 특정 응용 분야에 적합합니다.

Bandgap Engineering의 기본

재료의 붕대는 전기 전도성과 광 흡수를 결정합니다. 좁은 붕대가있는 반도체는 적외선 장치에 적합하며 넓은 붕대 재료는 고출력 및 고주파 응용 분야에서 사용됩니다. 붕대 조정은 합금, 도핑 및 퀀텀 confinement와 같은 기술을 포함합니다.

Bandgap Modification에 대한 기술

몇몇 방법은 반도체의 bandgap를 수정하기 위하여 고용됩니다:

  • Alloying: GaAs와 AlGaAs와 같은 ternary 또는 quaternary 화합물을 창조하기 위하여 다른 성분을 결합.
  • Doping: 전자적 특성을 변경하는 불순물 소개.
  • Quantum confinement: 에너지 수준을 변경하기 위해 quantum dots와 같은 나노 구조를 사용하여.

Bandgap Engineering의 응용

Bandgap 엔지니어링은 특정 기능이있는 장치의 개발을 가능하게합니다. 예를 들어 광전자 공학에서 다른 파장을 방출하는 LEDs의 생성을 허용합니다. 전력 전자 제품에서 넓은 Bandgap 재료는 효율성과 열 안정성을 향상시킵니다.