양극 접속 트랜지스터 (BJTs)에 있는 커트오프 그리고 포화 전압은 믿을 수 있는 엇바꾸기 회로를 디자인하기를 위해 근본적입니다. 이 모수는 트랜지스터의 운영 지역을 결정하고 회로의 효율성 그리고 안정성을 좌우합니다.

BJT 스위치에 있는 차단 전압

커트오프 전압은 transistor를 켜기 위하여 요구되는 최소 기본적인 배출 전압 (V] BE])입니다. V]를 때 BE는 이 문턱의 밑에, 트랜지스터는 열리는 스위치로 행동하는 차단 지역에서 남아 있습니다. 일반적으로, 이 전압은 실리콘 BJTs를 위한 약 0.6 0.7 볼트입니다.

transistor 스위치를 완전히 차단하기 위해, 기본적인 드라이브 전압은 이 커트오프 수준의 밑에 지켜져야 합니다. Proper biasing는 무인한 지휘를 방지하고 전력 소비를 감소시킵니다.

BJT 스위치에 있는 포화 전압

포화 전압 (V]CE(sat))은 트랜지스터가 완전히 켜지면 수집기 배출 전압입니다. 그것은 포화 지역에 트랜지스터의 전압 강하를 나타냅니다. 일반적으로 실리콘 BJTs의 약 0.1 ~ 0.3 볼트.

낮은 VCE(sat)은 전력 손실을 최소화하기 때문에 효율적인 스위칭에 중요합니다. 포화에 도달하려면, 기본 전류는 충분히 높을 필요가, 종종 필요한 수집가 전류의 여러, 트랜지스터를 보장하기 위해 포화로 깊은 구동됩니다.

Robust Design에 대한 전압 계산

강력한 BJT 스위치를 설계하면 절단 및 포화 영역의 정의가 명확하게 기본 및 수집기 전압을 선택해야합니다. 이 기본 드라이브 전압을 보장하는 것은 온 상태 동안 차단 임계값을 초과하고 오프 상태 동안 남아 있습니다.

또한 트랜지스터 매개 변수 및 온도 효과의 변형에 대한 회계는 중요합니다. 보존 전압 한계를 사용하여 다른 조건에서 신뢰할 수있는 작동을 유지합니다.

주요 전압의 개요

  • Cutoff 전압 (VBE]]]]]]]: ~0.6-0.7 실리콘 BJTs에 대한 V
  • 화장품 전압 (VCE(sat)]]]]]: ~0.1-0.3 V
  • Base Drive Voltage: 컷오프를 턴위에 넣어야 합니다.
  • Collector-Emitter 전압: VCE(sat)] saturation에서