양극 접속 트랜지스터 (BJTs)에 있는 비스듬한 현재는 전자 회로에 있는 적당한 가동을 위해 근본적입니다. 이 현재의 정확한 계산은 그것의 원한 모수 내의 트랜지스터 기능을 지킵니다. 이 문서는 BJTs에 있는 계산 현재에 단계 별 접근을 제공합니다.

BJT Biasing 이해

Biasing는 BJT를 위한 정확한 DC 운영 점을 조정하는 것을 포함합니다. 이것은 트랜지스터가 활동 지역에서 작동하고, 증폭을 허용하. 결정하는 중요한 현재는 기본적인 현재 (Ib), 수집가 현재 (Ic) 및 이미터 현재 (Ie)입니다.

Step-by-Step 계산 방법

이 과정은 현재 이익 (β) 같이 공급 전압 저항기 가치와 같은 회로 모수를 식별하고, 트랜지스터 모수를 시작합니다. 이를 사용하여, 당신은 양극 처리한 현재를 산출할 수 있습니다.

단계 1: 결정적인 기본적인 전압 (Vb)

전압 분배자 또는 다른 비스듬한 네트워크 방정식을 사용하여 기본 전압을 계산합니다. 전압 배당체를 위해, 사용:

Vb = (R2 / (R1 + R2)) × Vcc

단계 2: 기초 현재 (Ib)를 산출하십시오

기본 배출 전압 (Vbe)를 결정하는 것은 실리콘 BJTs를 위해 0.7V의 주위에 전형적으로. 그런 다음, 기본 전류를 찾습니다:

Ib = (Vb - Vbe) / Rb

3 단계 : 수집가 및 임계 전류 찾기

현재 이득 (β)를 사용하여 수집가 전류를 계산합니다.

Ic = β × Ib

그리고 이미터 현재는:

Ie = Ic + Ib

추가 팁

저항기 값은 원하는 바이스 포인트를 제공하기 위해 선택됩니다. 정확도에 대한 시뮬레이션 도구 또는 측정으로 계산을 검증합니다.